一种量子点材料、制备方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611256988.3

申请日：

2016-12-30

公开(公告)号：

CN108269886A

公开(公告)日：

2018-07-10

发明(设计)人：

杨一行刘政钱磊

申请人：

申请人地址：

516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3306

代理机构：

深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268

代理人：

王永文;刘文求

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-10	授权	授权
2018-07-10	公开	公开
2018-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20161230

共 50 条

[1]

一种量子点材料、制备方法及半导体器件 [P].

杨一行 ;

刘政 ;

钱磊 .

中国专利 :CN108264905A ,2018-07-10

[2]

一种量子点复合材料、制备方法及半导体器件 [P].

钱磊 ;

杨一行 ;

刘政 .

中国专利 :CN108264900A ,2018-07-10

[3]

一种发光材料、制备方法及半导体器件 [P].

杨一行 ;

刘政 ;

钱磊 ;

程陆玲 .

中国专利 :CN108264904A ,2018-07-10

[4]

一种纳米发光材料、制备方法及半导体器件 [P].

刘政 ;

杨一行 ;

钱磊 .

中国专利 :CN108264894A ,2018-07-10

[5]

一种纳米复合材料、制备方法及半导体器件 [P].

杨一行 ;

刘政 ;

钱磊 .

中国专利 :CN108269891B ,2018-07-10

[6]

一种合金纳米材料、制备方法及半导体器件 [P].

杨一行 ;

刘政 ;

钱磊 .

中国专利 :CN108269930A ,2018-07-10

[7]

一种半导体材料、半导体器件及制备方法 [P].

查显弧 ;

张道华 ;

万玉喜 ;

李翔 .

中国专利 :CN118621440B ,2024-11-22

[8]

一种半导体材料、半导体器件及制备方法 [P].

查显弧 ;

张道华 ;

万玉喜 ;

李翔 .

中国专利 :CN118621440A ,2024-09-10

[9]

具有量子阱能级结构的纳米晶体、制备方法及半导体器件 [P].

刘政 ;

杨一行 ;

向超宇 ;

钱磊 .

中国专利 :CN106601886A ,2017-04-26

[10]

具有量子阱能级结构的合金材料、制备方法及半导体器件 [P].

杨一行 ;

刘政 ;

钱磊 ;

程陆玲 .

中国专利 :CN108269892B ,2018-07-10

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