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半导体结构及其形成方法

被引：0
申请号：
CN202110070489.X
申请日：
2021-01-19
公开(公告)号：
CN114823841A
公开(公告)日：
2022-07-29
发明(设计)人：
王孝远 张进书 宋辉 潘梓诚
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L2978 H01L21336
代理机构：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327
代理人：
吴凡
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-08-16 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20210119
2022-07-29 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
杨广立 ;
郑大燮 .
中国专利 :CN113078217A ,2021-07-06
[2]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
张全良 ;
刘丽丽 .
中国专利 :CN114078707B ,2024-09-06
[3]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
令海阳 ;
喻明康 ;
许昭昭 ;
吴尚泽 .
中国专利 :CN121126828A ,2025-12-12
[4]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
杜义琛 ;
杨林宏 ;
张艳红 ;
丁亚 ;
陈秋颖 .
中国专利 :CN117672975A ,2024-03-08
[5]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
王楠 .
中国专利 :CN114512479A ,2022-05-17
[6]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
王爽 ;
许凯 ;
吴永玉 .
中国专利 :CN121174567A ,2025-12-19
[7]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
张全良 ;
刘丽丽 .
中国专利 :CN114078707A ,2022-02-22
[8]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
陈德艳 ;
李茂 ;
郑大燮 .
中国专利 :CN112309857A ,2021-02-02
[9]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
陈德艳 ;
李茂 ;
郑大燮 .
中国专利 :CN112309857B ,2025-02-25
[10]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
杨广立 ;
郑大燮 .
中国专利 :CN113078217B ,2025-04-25
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