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半导体结构及其形成方法

被引：0
申请号：
CN202011278811.X
申请日：
2020-11-16
公开(公告)号：
CN114512479A
公开(公告)日：
2022-05-17
发明(设计)人：
王楠
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
IPC主分类号：
H01L27088
IPC分类号：
H01L21768 H01L2348 H01L218234
代理机构：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327
代理人：
吴凡
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-06-03 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/088 申请日:20201116
2022-05-17 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
张海洋 ;
张城龙 .
中国专利 :CN105609431A ,2016-05-25
[2]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
刘继全 .
中国专利 :CN111834331B ,2020-10-27
[3]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
李勇 .
中国专利 :CN106558584A ,2017-04-05
[4]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
周鸣 .
中国专利 :CN112951981B ,2025-07-04
[5]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
周鸣 .
中国专利 :CN112951981A ,2021-06-11
[6]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
赵猛 ;
施雪捷 .
中国专利 :CN113764280A ,2021-12-07
[7]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
杨卓 ;
杨林宏 ;
张艳红 ;
张书玉 ;
郝扬 ;
白若 .
中国专利 :CN118231444A ,2024-06-21
[8]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
余云初 ;
沈忆华 ;
潘见 ;
傅丰华 .
中国专利 :CN106611712A ,2017-05-03
[9]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
王孝远 ;
张进书 ;
宋辉 ;
潘梓诚 .
中国专利 :CN114823841A ,2022-07-29
[10]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
于海龙 ;
荆学珍 ;
张浩 ;
张田田 ;
孟晋辉 .
中国专利 :CN114203814A ,2022-03-18
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