共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202211638876.X
申请日：
2022-12-20
公开(公告)号：
CN118231444A
公开(公告)日：
2024-06-21
发明(设计)人：
杨卓
杨林宏
张艳红
张书玉
郝扬
白若
申请人：
中芯国际集成电路制造（天津）有限公司
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址：
300380 天津市西青区西青经济开发区兴华道19号
IPC主分类号：
H01L29/06
IPC分类号：
H01L29/36
H01L29/78
H01L21/336
代理机构：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327
代理人：
刘燕姿;王立娜
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
上海市
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-07-09 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/06申请日:20221220 |
| 2024-06-21 | 公开 | 公开 |