半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610134369.0

申请日：

2016-03-09

公开(公告)号：

CN107180762A

公开(公告)日：

2017-09-19

发明(设计)人：

周飞

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

高静;吴敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-03	授权	授权
2017-10-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20160309
2017-09-19	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

李勇 ;

林仰魁 .

中国专利 :CN108695253A ,2018-10-23

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107180861B ,2017-09-19

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN110718465A ,2020-01-21

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

徐建华 ;

王安妮 ;

何* ;

杨小军 .

中国专利 :CN108155235A ,2018-06-12

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

谢欣云 .

中国专利 :CN107591398A ,2018-01-16

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

肖芳元 .

中国专利 :CN118676201A ,2024-09-20

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN110797261A ,2020-02-14

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

蒋莉 .

中国专利 :CN109037025A ,2018-12-18

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107731807B ,2018-02-23

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

杨卓 ;

杨林宏 ;

张艳红 ;

张书玉 ;

郝扬 ;

白若 .

中国专利 :CN118231444A ,2024-06-21

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