半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710426925.6

申请日：

2017-06-08

公开(公告)号：

CN109037025A

公开(公告)日：

2018-12-18

发明(设计)人：

蒋莉

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-18	公开	公开
2021-11-26	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20181218
2019-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20170608

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

李勇 ;

林仰魁 .

中国专利 :CN108695253A ,2018-10-23

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107180861B ,2017-09-19

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN110718465A ,2020-01-21

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

徐建华 ;

王安妮 ;

何* ;

杨小军 .

中国专利 :CN108155235A ,2018-06-12

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

谢欣云 .

中国专利 :CN107591398A ,2018-01-16

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

陈世杰 ;

王文武 ;

王晓磊 ;

韩锴 .

中国专利 :CN102237398A ,2011-11-09

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

肖芳元 .

中国专利 :CN118676201A ,2024-09-20

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107180762A ,2017-09-19

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN110797261A ,2020-02-14

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

蔡巧明 ;

马丽莎 .

中国专利 :CN113517184A ,2021-10-19

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