形成半导体元件及半导体影像感测器的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510056629.9

申请日：

2005-04-13

公开(公告)号：

CN100419951C

公开(公告)日：

2005-11-16

发明(设计)人：

谢友岚林志旻王建忠

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L213105 H01L27146

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-09-17	授权	授权
2005-11-16	公开	公开

共 50 条

[1]

影像感测器及形成影像感测器的方法及半导体元件 [P].

郑允玮 ;

周俊豪 ;

李国政 ;

陈英豪 .

中国专利 :CN113540132A ,2021-10-22

[2]

影像感测器及半导体元件的形成方法 [P].

蒋尚义 ;

王中枢 ;

伍寿国 ;

杨敦年 .

中国专利 :CN101106144A ,2008-01-16

[3]

半导体影像感测器和制造半导体影像感测器的方法 [P].

卢俊良 ;

邱钲皓 ;

林焕恩 ;

周俊豪 ;

李国政 .

中国专利 :CN114464634A ,2022-05-10

[4]

制造半导体装置及互补金属氧化物半导体影像感测器方法 [P].

邱威超 ;

刘永进 ;

张浚威 ;

郭景森 ;

许峰嘉 .

中国专利 :CN118169970A ,2024-06-11

[5]

半导体结构、影像感测器和半导体结构的形成方法 [P].

谢丰键 ;

郑允玮 ;

胡维礼 ;

李国政 ;

陈信吉 .

中国专利 :CN113053929A ,2021-06-29

[6]

半导体结构、影像感测器和半导体结构的形成方法 [P].

谢丰键 ;

郑允玮 ;

胡维礼 ;

李国政 ;

陈信吉 .

中国专利 :CN113053929B ,2025-03-28

[7]

互补金属氧化物半导体影像感测器及形成方法 [P].

吴扬 ;

依那.派翠克 ;

张宇轩 ;

金起弘 ;

郁飞霞 .

中国专利 :CN107346775B ,2017-11-14

[8]

影像感测器及半导体结构 [P].

杨孟达 .

中国专利 :CN110972505A ,2020-04-07

[9]

半导体层叠体、半导体元件及半导体元件的制造方法 [P].

桥上洋 .

日本专利 :CN116157550B ,2025-09-09

[10]

具有接合垫的金属氧化物半导体影像感测器及其形成方法 [P].

刘铭棋 ;

傅士奇 ;

刘源鸿 ;

陈威智 ;

罗际兴 .

中国专利 :CN101231971B ,2008-07-30

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