影像感测器及半导体元件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710089515.3

申请日：

2007-03-27

公开(公告)号：

CN101106144A

公开(公告)日：

2008-01-16

发明(设计)人：

蒋尚义王中枢伍寿国杨敦年

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

H01L21822 H01L21761

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-03-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-12-16	授权	授权
2008-01-16	公开	公开

共 50 条

[1]

影像感测器及形成影像感测器的方法及半导体元件 [P].

郑允玮 ;

周俊豪 ;

李国政 ;

陈英豪 .

中国专利 :CN113540132A ,2021-10-22

[2]

形成半导体元件及半导体影像感测器的方法 [P].

谢友岚 ;

林志旻 ;

王建忠 .

中国专利 :CN100419951C ,2005-11-16

[3]

半导体装置、影像感测器及其形成方法 [P].

李岳川 ;

黄仕贤 ;

陈嘉展 ;

陈步芳 .

中国专利 :CN113823649B ,2024-08-30

[4]

半导体装置、影像感测器及其形成方法 [P].

李岳川 ;

黄仕贤 ;

陈嘉展 ;

陈步芳 .

中国专利 :CN113823649A ,2021-12-21

[5]

半导体结构、影像感测器和半导体结构的形成方法 [P].

谢丰键 ;

郑允玮 ;

胡维礼 ;

李国政 ;

陈信吉 .

中国专利 :CN113053929B ,2025-03-28

[6]

半导体结构、影像感测器和半导体结构的形成方法 [P].

谢丰键 ;

郑允玮 ;

胡维礼 ;

李国政 ;

陈信吉 .

中国专利 :CN113053929A ,2021-06-29

[7]

半导体影像感测器和制造半导体影像感测器的方法 [P].

卢俊良 ;

邱钲皓 ;

林焕恩 ;

周俊豪 ;

李国政 .

中国专利 :CN114464634A ,2022-05-10

[8]

半导体装置与影像感测器集成芯片的形成方法 [P].

郭晋嘉 ;

吴东庭 ;

施俊吉 ;

黄益民 .

中国专利 :CN109841641A ,2019-06-04

[9]

互补金属氧化物半导体影像感测器及形成方法 [P].

吴扬 ;

依那.派翠克 ;

张宇轩 ;

金起弘 ;

郁飞霞 .

中国专利 :CN107346775B ,2017-11-14

[10]

影像感测器及半导体结构 [P].

杨孟达 .

中国专利 :CN110972505A ,2020-04-07

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