半导体装置、影像感测器及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110756491.2

申请日：

2021-07-05

公开(公告)号：

CN113823649A

公开(公告)日：

2021-12-21

发明(设计)人：

李岳川黄仕贤陈嘉展陈步芳

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

黄艳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20210705
2021-12-21	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置、影像感测器及其形成方法 [P].

李岳川 ;

黄仕贤 ;

陈嘉展 ;

陈步芳 .

中国专利 :CN113823649B ,2024-08-30

[2]

影像感测器及形成影像感测器的方法及半导体元件 [P].

郑允玮 ;

周俊豪 ;

李国政 ;

陈英豪 .

中国专利 :CN113540132A ,2021-10-22

[3]

半导体装置与影像感测器集成芯片的形成方法 [P].

郭晋嘉 ;

吴东庭 ;

施俊吉 ;

黄益民 .

中国专利 :CN109841641A ,2019-06-04

[4]

影像感测器装置及其形成方法 [P].

廖耕颍 ;

董怀仁 ;

宋至伟 ;

陈柏仁 ;

辜瑜倩 ;

林玉珠 ;

任啟中 ;

吴彦柔 ;

王诗贤 .

中国专利 :CN113053934A ,2021-06-29

[5]

影像感测器装置及其形成方法 [P].

廖耕颍 ;

董怀仁 ;

宋至伟 ;

陈柏仁 ;

辜瑜倩 ;

林玉珠 ;

任啟中 ;

吴彦柔 ;

王诗贤 .

中国专利 :CN113053934B ,2025-06-06

[6]

影像感测器及半导体元件的形成方法 [P].

蒋尚义 ;

王中枢 ;

伍寿国 ;

杨敦年 .

中国专利 :CN101106144A ,2008-01-16

[7]

半导体结构、影像感测器和半导体结构的形成方法 [P].

谢丰键 ;

郑允玮 ;

胡维礼 ;

李国政 ;

陈信吉 .

中国专利 :CN113053929B ,2025-03-28

[8]

半导体结构、影像感测器和半导体结构的形成方法 [P].

谢丰键 ;

郑允玮 ;

胡维礼 ;

李国政 ;

陈信吉 .

中国专利 :CN113053929A ,2021-06-29

[9]

半导体影像感测器和制造半导体影像感测器的方法 [P].

卢俊良 ;

邱钲皓 ;

林焕恩 ;

周俊豪 ;

李国政 .

中国专利 :CN114464634A ,2022-05-10

[10]

半导体影像感测器装置及其制造方法 [P].

林政翰 ;

张朝钦 ;

林艺民 ;

周彦廷 ;

陈言彰 ;

李昇展 ;

周正贤 .

中国专利 :CN112397535B ,2024-08-20

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