高压台面半导体器件的3D打印沟槽玻璃钝化系统

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201920043777.4

申请日：

2019-01-11

公开(公告)号：

CN209133477U

公开(公告)日：

2019-07-19

发明(设计)人：

徐开凯雷浩东胡明稹刘宁张浩戴胜强廖智戴建定马晓洁赵建明刘继芝夏建新

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市成华区建设北路二段四号电子科技大学电子科学与工程学院

IPC主分类号：

H01L2167

IPC分类号：

H01L2156

代理机构：

石家庄科诚专利事务所(普通合伙) 13113

代理人：

张红卫;刘丽丽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-19	授权	授权

共 50 条

[1]

采用3D涂布法的沟槽玻璃钝化系统及相应的钝化工艺 [P].

徐开凯 ;

胡明稹 ;

戴胜强 ;

廖智 ;

刘宁 ;

张浩 ;

戴建定 ;

马晓洁 ;

赵建明 ;

刘继芝 ;

雷浩东 ;

夏建新 .

中国专利 :CN109786295A ,2019-05-21

[2]

大台面电力半导体器件的玻璃钝化方法 [P].

庄惠照 ;

薛成山 ;

王显明 .

中国专利 :CN1047025C ,1996-02-21

[3]

台面半导体器件玻璃钝化工艺 [P].

薛成山 ;

赵富贤 ;

田淑芬 ;

刘瑞兰 ;

庄惠照 .

中国专利 :CN85100410A ,1986-07-09

[4]

硅平面半导体器件的玻璃钝化方法 [P].

程万坡 ;

周明 ;

顾理健 .

中国专利 :CN101667535B ,2010-03-10

[5]

制造玻璃钝化半导体器件的方法 [P].

张环 ;

何磊 ;

周继峰 .

中国专利 :CN118136586A ,2024-06-04

[6]

用于半导体器件的钝化玻璃 [P].

斯里尼瓦桑·斯里德哈兰 ;

约翰·J·马洛尼 ;

乔治·E·萨科斯克 ;

格雷戈里·R·普林斯巴赫 ;

大卫·维德莱夫斯基 ;

杰基·戴维斯 ;

布拉德福德·史密斯 .

中国专利 :CN109564904B ,2019-04-02

[7]

一种台面半导体器件玻璃钝化工艺 [P].

吴昊 ;

冯羽 .

中国专利 :CN118969602A ,2024-11-15

[8]

一种台面半导体器件玻璃钝化工艺 [P].

吴昊 ;

冯羽 .

中国专利 :CN118969602B ,2025-06-27

[9]

一种半导体器件的玻璃钝化方法 [P].

贾健 ;

郭静静 .

中国专利 :CN118571755A ,2024-08-30

[10]

一种超薄3D封装的半导体器件以及超薄3D封装的半导体器件的半成品 [P].

申亚琪 ;

王建国 .

中国专利 :CN205609518U ,2016-09-28

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