纳米尺度器件的制造的干涉分析

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580040751.5

申请日：

2005-11-21

公开(公告)号：

CN101115971A

公开(公告)日：

2008-01-30

发明(设计)人：

P·K·林玛卡亚拉 T·H·拉弗蒂 A·阿格里 B－J·崔 P·D·苏马克 D·A·巴布斯 V·N·柴斯盖特

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯州

IPC主分类号：

G01B1126

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

陈炜

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-08	授权	授权
2008-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-01-30	公开	公开

共 50 条

[1]

纳米尺度深孔的制备方法及纳米器件 [P].

刘金彪 ;

罗军 ;

李俊峰 ;

贺晓彬 ;

杨涛 .

中国专利 :CN117747540A ,2024-03-22

[2]

纳米尺度结构 [P].

P.马迪洛维奇 ;

Q.魏 ;

A.M.富勒 .

中国专利 :CN103153845B ,2013-06-12

[3]

纳米尺度FET [P].

R·叙尔迪努 ;

P·阿加瓦尔 ;

A·R·巴尔克宁德 ;

E·P·A·M·巴克斯 .

中国专利 :CN1985378A ,2007-06-20

[4]

一种纳米尺度通道的制造方法 [P].

殷志富 ;

杨雪 ;

李露 ;

胡伟 ;

贾炳强 .

中国专利 :CN113070111A ,2021-07-06

[5]

用于精密纳米尺度制造的通用过程 [P].

希德加塔·V·斯林瓦森 ;

希拉旺·辛格哈尔 .

中国专利 :CN108348951A ,2018-07-31

[6]

纳米尺度金属颗粒的制备 [P].

R·A·默库里 .

中国专利 :CN101300096A ,2008-11-05

[7]

纳米尺度展示装置 [P].

霍杨 ;

胡俊 ;

李虹 ;

王伟 ;

郭永霞 .

中国专利 :CN217161602U ,2022-08-12

[8]

纳米尺度的半导体器件的气隙间隔物构造 [P].

S·V·恩古源 ;

山下典洪 ;

程慷果 ;

T·J·小黑格 ;

朴灿鲁 ;

E·利宁格 ;

李俊涛 ;

S·梅赫塔 .

美国专利 :CN117423678A ,2024-01-19

[9]

纳米尺度的半导体器件的气隙间隔物构造 [P].

S·V·恩古源 ;

山下典洪 ;

程慷果 ;

T·J·小黑格 ;

朴灿鲁 ;

E·利宁格 ;

李俊涛 ;

S·梅赫塔 .

美国专利 :CN117410270A ,2024-01-16

[10]

纳米尺度的半导体器件的气隙间隔物构造 [P].

S·V·恩古源 ;

山下典洪 ;

程慷果 ;

T·J·小黑格 ;

朴灿鲁 ;

E·利宁格 ;

李俊涛 ;

S·梅赫塔 .

美国专利 :CN117457623A ,2024-01-26

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