半导体装置及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201210100320.5
申请日
2012-03-28
公开(公告)号
CN102738105B
公开(公告)日
2012-10-17
发明(设计)人
秋野胜
申请人
申请人地址
日本千叶县
IPC主分类号
H01L23488
IPC分类号
H01L2160
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
何欣亭;王忠忠
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
三河巧 ;
十代勇治 .
中国专利 :CN1862814A ,2006-11-15
[2]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
浜口卓也 ;
中田洋辅 ;
中野诚也 ;
多留谷政良 .
中国专利 :CN108369912A ,2018-08-03
[3]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
佐藤好弘 ;
小川久 .
中国专利 :CN101114646A ,2008-01-30
[4]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
井村行宏 ;
木村吉孝 ;
秋野胜 .
中国专利 :CN105977237A ,2016-09-28
[5]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
立花文人 .
日本专利 :CN117637842A ,2024-03-01
[6]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
梅本光雄 ;
龟山工次郎 ;
铃木彰 .
中国专利 :CN100530609C ,2006-04-05
[7]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
塚本和宏 .
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[8]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
岸田刚信 ;
原田刚史 ;
樋野村彻 ;
阿部弘光 ;
佐竹光成 ;
国光健一 .
中国专利 :CN1205666C ,2002-05-29
[9]
半导体衬底的制造方法、半导体装置及其制造方法 [P]. 
掛端哲弥 .
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[10]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
野田耕生 ;
佐藤奈奈绘 .
中国专利 :CN102522430B ,2012-06-27