半导体装置及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200710111845.8
申请日
2007-06-15
公开(公告)号
CN101114646A
公开(公告)日
2008-01-30
发明(设计)人
佐藤好弘 小川久
申请人
申请人地址
日本大阪府
IPC主分类号
H01L2704
IPC分类号
H01L23522 H01L2940 H01L21822 H01L21768 H01L2128
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司
代理人
汪惠民
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
高田佳史 ;
坂井裕一 ;
岩崎正修 ;
千叶原宏幸 .
中国专利 :CN1226747A ,1999-08-25
[2]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
赤尾真哉 .
中国专利 :CN105720103A ,2016-06-29
[3]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
三河巧 ;
十代勇治 .
中国专利 :CN1862814A ,2006-11-15
[4]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
佐藤好弘 ;
小川久 .
中国专利 :CN1956186A ,2007-05-02
[5]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
国分彻也 .
中国专利 :CN1218980A ,1999-06-09
[6]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
石田雅宏 .
中国专利 :CN1229280A ,1999-09-22
[7]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
立花文人 .
日本专利 :CN117637842A ,2024-03-01
[8]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
秋野胜 .
中国专利 :CN102738105B ,2012-10-17
[9]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
山田顺治 ;
山田裕 ;
有吉润一 .
中国专利 :CN1375875A ,2002-10-23
[10]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
梅本光雄 ;
龟山工次郎 ;
铃木彰 .
中国专利 :CN100530609C ,2006-04-05