半导体装置及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN98119687.X
申请日
1998-09-21
公开(公告)号
CN1218980A
公开(公告)日
1999-06-09
发明(设计)人
国分彻也
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L2100
IPC分类号
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人
穆德骏
法律状态
实质审查请求的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
芦田基 ;
寺田隆司 .
中国专利 :CN1525568A ,2004-09-01
[2]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
青池将之 ;
黑川敦 ;
小林敦 .
中国专利 :CN107968035A ,2018-04-27
[3]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
青池将之 ;
黑川敦 ;
小林敦 .
中国专利 :CN107968076A ,2018-04-27
[4]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
粉谷直树 .
中国专利 :CN1725490A ,2006-01-25
[5]
功率用半导体装置及其制造方法 [P]. 
藤井亮一 ;
本田成人 ;
梄崎敦司 ;
本并薰 .
中国专利 :CN102194688B ,2011-09-21
[6]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
江口和弘 ;
犬宫诚治 ;
綱岛祥隆 .
中国专利 :CN1431716A ,2003-07-23
[7]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
小泽良夫 ;
田中正幸 ;
宫野清孝 ;
斋田繁彦 .
中国专利 :CN1211864C ,2003-07-23
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
森门六月生 .
中国专利 :CN101132010A ,2008-02-27
[9]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
赤尾真哉 .
中国专利 :CN105720103A ,2016-06-29
[10]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
三河巧 ;
十代勇治 .
中国专利 :CN1862814A ,2006-11-15