半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710963350.1

申请日：

2017-10-16

公开(公告)号：

CN107968076A

公开(公告)日：

2018-04-27

发明(设计)人：

青池将之黑川敦小林敦

申请人：

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

H01L2331

IPC分类号：

H01L2156

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

李逸雪

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-22	授权	授权
2018-04-27	公开	公开
2018-05-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/31 申请日:20171016

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

青池将之 ;

黑川敦 ;

小林敦 .

中国专利 :CN107968035A ,2018-04-27

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

矢野航作 ;

杉山龙男 ;

上田聪 ;

野村登 .

中国专利 :CN1109216A ,1995-09-27

[3]

半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

米田健司 .

中国专利 :CN1282230C ,2004-10-13

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

三浦成久 ;

中田修平 ;

大塚健一 ;

渡边昭裕 ;

油谷直毅 .

中国专利 :CN102334190A ,2012-01-25

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

高木刚 .

中国专利 :CN1695254A ,2005-11-09

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

越智元隆 ;

津野盛和 .

中国专利 :CN1949472A ,2007-04-18

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

国分彻也 .

中国专利 :CN1218980A ,1999-06-09

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

斋藤顺 ;

小野木淳士 ;

青井佐智子 ;

水野祥司 .

中国专利 :CN107004700B ,2017-08-01

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

宇佐美达矢 .

中国专利 :CN106257676B ,2016-12-28

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

小田洋平 .

中国专利 :CN111052323A ,2020-04-21

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