半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580067401.1

申请日：

2015-07-22

公开(公告)号：

CN107004700B

公开(公告)日：

2017-08-01

发明(设计)人：

斋藤顺小野木淳士青井佐智子水野祥司

申请人：

申请人地址：

日本爱知县丰田市

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L21336 H01L2912 H01L2978

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

高培培;车文

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-01	授权	授权
2017-08-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101743983183 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2015800674011 申请日:20150722
2017-08-01	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

西康一 .

中国专利 :CN112786691A ,2021-05-11

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

林健太 ;

山本克己 ;

中村真 ;

秋山直之 ;

田口恭辅 .

中国专利 :CN104054164A ,2014-09-17

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

小林勇介 ;

小野泽勇一 ;

武井学 .

中国专利 :CN107078155A ,2017-08-18

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

龟山悟 ;

岩崎真也 .

中国专利 :CN105932048A ,2016-09-07

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

樽井阳一郎 .

中国专利 :CN102468327A ,2012-05-23

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

高木刚 .

中国专利 :CN1695254A ,2005-11-09

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

平林康弘 ;

榊原明德 .

中国专利 :CN104040720B ,2014-09-10

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

青池将之 ;

黑川敦 ;

小林敦 .

中国专利 :CN107968035A ,2018-04-27

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

小田洋平 .

中国专利 :CN111052323A ,2020-04-21

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

井守义久 .

中国专利 :CN100539089C ,2008-03-26

← 1 2 3 4 5 →