半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110252431.3

申请日：

2011-08-30

公开(公告)号：

CN102468327A

公开(公告)日：

2012-05-23

发明(设计)人：

樽井阳一郎

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2978 H01L2906 H01L21336

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

闫小龙;王忠忠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101282313023 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:2011102524313 申请日:20110830
2012-05-23	公开	公开
2016-12-07	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

高木刚 .

中国专利 :CN1695254A ,2005-11-09

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

西康一 .

中国专利 :CN112786691A ,2021-05-11

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

岩永顺子 ;

高木刚 ;

神泽好彦 ;

空田晴之 ;

齐藤彻 ;

川岛孝启 .

中国专利 :CN1762047A ,2006-04-19

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

小林勇介 ;

小野泽勇一 ;

武井学 .

中国专利 :CN107078155A ,2017-08-18

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

久都内知惠 .

中国专利 :CN1225793C ,2004-01-21

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

三浦成久 ;

中田修平 ;

大塚健一 ;

渡边昭裕 ;

油谷直毅 .

中国专利 :CN102334190A ,2012-01-25

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

野田泰史 .

中国专利 :CN1694263A ,2005-11-09

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

宫崎涉一 .

中国专利 :CN101162709A ,2008-04-16

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

内山敬太 .

中国专利 :CN1744318A ,2006-03-08

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

斋藤顺 ;

小野木淳士 ;

青井佐智子 ;

水野祥司 .

中国专利 :CN107004700B ,2017-08-01

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