半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710152402.3

申请日：

2007-10-11

公开(公告)号：

CN101162709A

公开(公告)日：

2008-04-16

发明(设计)人：

宫崎涉一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L218247

IPC分类号：

H01L27115

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

李峥;于静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-04-16	公开	公开
2009-09-16	授权	授权
2013-12-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101547531857 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利号:ZL2007101524023 申请日:20071011 授权公告日:20090916 终止日期:20121011
2008-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

岩永顺子 ;

高木刚 ;

神泽好彦 ;

空田晴之 ;

齐藤彻 ;

川岛孝启 .

中国专利 :CN1762047A ,2006-04-19

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

久都内知惠 .

中国专利 :CN1225793C ,2004-01-21

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

三浦成久 ;

中田修平 ;

大塚健一 ;

渡边昭裕 ;

油谷直毅 .

中国专利 :CN102334190A ,2012-01-25

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

野田泰史 .

中国专利 :CN1694263A ,2005-11-09

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

樽井阳一郎 .

中国专利 :CN102468327A ,2012-05-23

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

高木刚 .

中国专利 :CN1695254A ,2005-11-09

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

内山敬太 .

中国专利 :CN1744318A ,2006-03-08

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

永井孝一 .

中国专利 :CN101142668A ,2008-03-12

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

白滨政则 ;

县泰宏 ;

川崎利昭 ;

广藤裕一 ;

山田隆顺 .

中国专利 :CN102549737B ,2012-07-04

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

西康一 .

中国专利 :CN112786691A ,2021-05-11

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