半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280066749.5

申请日：

2012-11-27

公开(公告)号：

CN104040720B

公开(公告)日：

2014-09-10

发明(设计)人：

平林康弘榊原明德

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L21336 H01L29739 H01L2978

代理机构：

北京金信知识产权代理有限公司 11225

代理人：

黄威;苏萌萌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-09-10	公开	公开
2020-04-24	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/06 登记生效日:20200408 变更事项:专利权人变更前权利人:丰田自动车株式会社变更后权利人:株式会社电装变更事项:地址变更前权利人:日本爱知县变更后权利人:日本爱知县
2014-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587393424 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2012800667495 申请日:20121127
2016-12-14	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

斋藤顺 ;

小野木淳士 ;

青井佐智子 ;

水野祥司 .

中国专利 :CN107004700B ,2017-08-01

[2]

半导体元件、半导体装置、及其制造方法 [P].

庭山雅彦 ;

内田正雄 .

中国专利 :CN103548142A ,2014-01-29

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

林健太 ;

山本克己 ;

中村真 ;

秋山直之 ;

田口恭辅 .

中国专利 :CN104054164A ,2014-09-17

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

龟山悟 ;

岩崎真也 .

中国专利 :CN105932048A ,2016-09-07

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

和泉宇俊 .

中国专利 :CN1954430B ,2007-04-25

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

久米一平 ;

东和幸 .

中国专利 :CN105990308A ,2016-10-05

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

鍜治昂男 ;

佐佐木克仁 ;

古平贵章 ;

土井祐树 ;

折津美奈子 .

中国专利 :CN103515288A ,2014-01-15

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

寺井护 ;

井高志织 ;

中木义幸 ;

末广善幸 .

中国专利 :CN104428889A ,2015-03-18

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

西康一 .

中国专利 :CN112786691A ,2021-05-11

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

青池将之 ;

黑川敦 ;

小林敦 .

中国专利 :CN107968035A ,2018-04-27

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