半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710153565.3

申请日：

2007-09-21

公开(公告)号：

CN100539089C

公开(公告)日：

2008-03-26

发明(设计)人：

井守义久

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2310

IPC分类号：

H01L2331 H01L23488 H01L2178 H01L2150 H01L2158

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

李峥;于静

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-03-26	公开	公开
2022-01-11	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 23/10 登记生效日:20211229 变更事项:专利权人变更前权利人:东芝存储器株式会社变更后权利人:日商潘杰亚股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都
2009-09-09	授权	授权
2022-01-11	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 23/10 变更事项:专利权人变更前:日商潘杰亚股份有限公司变更后:东芝存储器株式会社变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本东京都
2017-08-22	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101757692638 IPC(主分类):H01L 23/10 专利号:ZL2007101535653 登记生效日:20170803 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社东芝变更后权利人:东芝存储器株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

斋藤顺 ;

小野木淳士 ;

青井佐智子 ;

水野祥司 .

中国专利 :CN107004700B ,2017-08-01

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

青池将之 ;

黑川敦 ;

小林敦 .

中国专利 :CN107968035A ,2018-04-27

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

小田洋平 .

中国专利 :CN111052323A ,2020-04-21

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

井野恒洋 ;

中崎靖 .

中国专利 :CN100524643C ,2007-10-31

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

青池将之 ;

黑川敦 ;

小林敦 .

中国专利 :CN107968076A ,2018-04-27

[6]

半导体元件、半导体装置、及其制造方法 [P].

庭山雅彦 ;

内田正雄 .

中国专利 :CN103548142A ,2014-01-29

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

松本雅弘 ;

藤泽雅彦 ;

大崎明彦 ;

石井敦司 .

中国专利 :CN102379036A ,2012-03-14

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

岩永顺子 ;

高木刚 ;

神泽好彦 ;

空田晴之 ;

齐藤彻 ;

川岛孝启 .

中国专利 :CN1762047A ,2006-04-19

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

林健太 ;

山本克己 ;

中村真 ;

秋山直之 ;

田口恭辅 .

中国专利 :CN104054164A ,2014-09-17

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

岩崎真也 ;

荒川盛司 .

中国专利 :CN105702620A ,2016-06-22

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