半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510920601.9

申请日：

2015-12-11

公开(公告)号：

CN105702620A

公开(公告)日：

2016-06-22

发明(设计)人：

岩崎真也荒川盛司

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

北京金信知识产权代理有限公司 11225

代理人：

苏萌萌;范文萍

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101670891617 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2015109206019 申请日:20151211
2019-01-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/768 申请公布日:20160622
2016-06-22	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

岩永顺子 ;

高木刚 ;

神泽好彦 ;

空田晴之 ;

齐藤彻 ;

川岛孝启 .

中国专利 :CN1762047A ,2006-04-19

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

林健太 ;

山本克己 ;

中村真 ;

秋山直之 ;

田口恭辅 .

中国专利 :CN104054164A ,2014-09-17

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

野间淳史 ;

中尾圭策 ;

上本康裕 .

中国专利 :CN1278108A ,2000-12-27

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

小内聪 ;

赤石实 ;

石关浩史 ;

佐野芳明 .

中国专利 :CN101771013A ,2010-07-07

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

王文生 .

中国专利 :CN101151729A ,2008-03-26

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

小林勇介 ;

小野泽勇一 ;

武井学 .

中国专利 :CN107078155A ,2017-08-18

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

久都内知惠 .

中国专利 :CN1225793C ,2004-01-21

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

三浦成久 ;

中田修平 ;

大塚健一 ;

渡边昭裕 ;

油谷直毅 .

中国专利 :CN102334190A ,2012-01-25

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

龟山悟 ;

岩崎真也 .

中国专利 :CN105932048A ,2016-09-07

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

王俊利 ;

平野智之 ;

片冈豊隆 ;

萩本贤哉 .

中国专利 :CN101345244B ,2009-01-14

← 1 2 3 4 5 →