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半导体器件及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011300897.1
申请日：
2020-11-19
公开(公告)号：
CN112420843A
公开(公告)日：
2021-02-26
发明(设计)人：
孙超
申请人：
申请人地址：
430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2906
H01L21336
代理机构：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294
代理人：
孙佳胤;高翠花
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-02-26 | 公开 | 公开 |
| 2021-03-16 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20201119 |