半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010418849.6

申请日：

2020-05-18

公开(公告)号：

CN113690303A

公开(公告)日：

2021-11-23

发明(设计)人：

肖魁方冬

申请人：

申请人地址：

401331 重庆市沙坪坝区西永大道25号

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2906 H01L2940 H01L29739 H01L2978 H01L21336 H01L21331 H01L2128

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

汪洁丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20200518
2021-11-23	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制备方法 [P].

王彦勋 ;

郭俊伟 .

中国专利 :CN117613072A ,2024-02-27

[2]

半导体器件及其制备方法 [P].

孙超 ;

许文山 .

中国专利 :CN112331559A ,2021-02-05

[3]

半导体器件及其制备方法 [P].

王晓日 ;

冒义祥 .

中国专利 :CN107785256A ,2018-03-09

[4]

半导体器件及其制备方法 [P].

孙超 .

中国专利 :CN112420843A ,2021-02-26

[5]

半导体器件及其制备方法 [P].

金华俊 ;

孙贵鹏 .

中国专利 :CN109216193B ,2019-01-15

[6]

半导体器件结构及其制备方法 [P].

胡敏达 ;

张海洋 .

中国专利 :CN102693982A ,2012-09-26

[7]

半导体衬底及其制备方法、半导体器件及其制备方法 [P].

王国斌 ;

闫其昂 ;

刘宗亮 .

中国专利 :CN114141919A ,2022-03-04

[8]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

张旭 ;

储郁冬 ;

陆琦 ;

赵天楚 .

中国专利 :CN118866807A ,2024-10-29

[9]

半导体器件、半导体结构及其制备方法 [P].

白杰 .

中国专利 :CN112885780A ,2021-06-01

[10]

半导体器件及其制备方法 [P].

于涛 .

中国专利 :CN112103189B ,2024-05-17

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