评估器件热载流子效应的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010174560.4
申请日
2020-03-13
公开(公告)号
CN113394124A
公开(公告)日
2021-09-14
发明(设计)人
许杞安
申请人
申请人地址
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号
H01L2166
IPC分类号
G01R3126
代理机构
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
史治法
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
检测半导体器件热载流子效应的方法 [P]. 
郭强 ;
简维廷 ;
黄宏嘉 .
中国专利 :CN101587162A ,2009-11-25
[2]
热载流子效应退化性能的评估方法 [P]. 
胡健 ;
吕康 ;
熊阳 .
中国专利 :CN114720831A ,2022-07-08
[3]
改善NMOSFET热载流子效应的方法及NMOSFET器件 [P]. 
陆逸枫 ;
潘宗延 ;
陈明志 .
中国专利 :CN112038404A ,2020-12-04
[4]
28HV MV器件热载流子效应的优化方法 [P]. 
杨振兴 ;
田志 ;
梁启超 .
中国专利 :CN115020234A ,2022-09-06
[5]
一种改善IO器件热载流子效应的方法 [P]. 
陆逸枫 ;
张志诚 ;
陈明志 .
中国专利 :CN111653485A ,2020-09-11
[6]
改善NMOS热载流子效应的方法 [P]. 
孙德明 .
中国专利 :CN106373889B ,2017-02-01
[7]
一种LDMOS器件热载流子注入效应的测试方法 [P]. 
杨涛 ;
王少荣 .
中国专利 :CN103852700A ,2014-06-11
[8]
一种减小热载流子效应的横向高压器件 [P]. 
乔明 ;
周锌 ;
祁娇娇 ;
张波 .
中国专利 :CN104600118A ,2015-05-06
[9]
改善热载流子效应的电路结构 [P]. 
张涛 .
中国专利 :CN119690198A ,2025-03-25
[10]
一种FDSOI器件热载流子效应与单粒子效应的耦合仿真方法 [P]. 
刘红侠 ;
严展鹏 ;
王树龙 ;
陈树鹏 ;
刘昌 ;
赵军伟 .
中国专利 :CN120611578A ,2025-09-09