改善NMOSFET热载流子效应的方法及NMOSFET器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010798596.X

申请日：

2020-08-11

公开(公告)号：

CN112038404A

公开(公告)日：

2020-12-04

发明(设计)人：

陆逸枫潘宗延陈明志

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L2936 H01L21336

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

张彦敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-04	公开	公开
2020-12-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20200811

共 50 条

[1]

改善NMOS热载流子效应的方法 [P].

孙德明 .

中国专利 :CN106373889B ,2017-02-01

[2]

一种改善IO器件热载流子效应的方法 [P].

陆逸枫 ;

张志诚 ;

陈明志 .

中国专利 :CN111653485A ,2020-09-11

[3]

一种NMOSFET器件及其制备方法 [P].

李勇 ;

肖德元 .

中国专利 :CN104779286B ,2015-07-15

[4]

改善热载流子效应的电路结构 [P].

张涛 .

中国专利 :CN119690198A ,2025-03-25

[5]

评估器件热载流子效应的方法 [P].

许杞安 .

中国专利 :CN113394124A ,2021-09-14

[6]

检测半导体器件热载流子效应的方法 [P].

郭强 ;

简维廷 ;

黄宏嘉 .

中国专利 :CN101587162A ,2009-11-25

[7]

一种具有表面应力调制结构的应变NMOSFET器件 [P].

罗谦 ;

孟思远 ;

檀长桂 ;

王向展 ;

于奇 .

中国专利 :CN108155238B ,2018-06-12

[8]

一种改善高压LDMOS热载流子效应的方法 [P].

令海阳 ;

钱文生 .

中国专利 :CN115692203A ,2023-02-03

[9]

一种减小热载流子效应的横向高压器件 [P].

乔明 ;

周锌 ;

祁娇娇 ;

张波 .

中国专利 :CN104600118A ,2015-05-06

[10]

28HV MV器件热载流子效应的优化方法 [P].

杨振兴 ;

田志 ;

梁启超 .

中国专利 :CN115020234A ,2022-09-06

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