一种改善高压LDMOS热载流子效应的方法

被引：0

申请号：

CN202211465955.5

申请日：

2022-11-22

公开(公告)号：

CN115692203A

公开(公告)日：

2023-02-03

发明(设计)人：

令海阳钱文生

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2906 H01L2910

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-03	公开	公开

共 50 条

[1]

改善NMOS热载流子效应的方法 [P].

孙德明 .

中国专利 :CN106373889B ,2017-02-01

[2]

一种LDMOS器件热载流子注入效应的测试方法 [P].

杨涛 ;

王少荣 .

中国专利 :CN103852700A ,2014-06-11

[3]

改善热载流子效应的电路结构 [P].

张涛 .

中国专利 :CN119690198A ,2025-03-25

[4]

一种改善IO器件热载流子效应的方法 [P].

陆逸枫 ;

张志诚 ;

陈明志 .

中国专利 :CN111653485A ,2020-09-11

[5]

一种减小热载流子效应的横向高压器件 [P].

乔明 ;

周锌 ;

祁娇娇 ;

张波 .

中国专利 :CN104600118A ,2015-05-06

[6]

LDMOS器件、抑制热载流子效应所导致LDMOS器件退化的方法 [P].

莫海锋 .

中国专利 :CN114551579A ,2022-05-27

[7]

改善NMOSFET热载流子效应的方法及NMOSFET器件 [P].

陆逸枫 ;

潘宗延 ;

陈明志 .

中国专利 :CN112038404A ,2020-12-04

[8]

28HV MV器件热载流子效应的优化方法 [P].

杨振兴 ;

田志 ;

梁启超 .

中国专利 :CN115020234A ,2022-09-06

[9]

一种热载流子效应和总剂量效应的耦合仿真方法 [P].

刘红侠 ;

高子厚 ;

陈树鹏 ;

王树龙 .

中国专利 :CN113591320B ,2021-11-02

[10]

评估器件热载流子效应的方法 [P].

许杞安 .

中国专利 :CN113394124A ,2021-09-14

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