改善热载流子效应的电路结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411818718.1

申请日：

2024-12-11

公开(公告)号：

CN119690198A

公开(公告)日：

2025-03-25

发明(设计)人：

张涛

申请人：

华大半导体（成都）有限公司

申请人地址：

610203 四川省成都市双流区成都芯谷产业园区集中区内

IPC主分类号：

G05F3/26

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

刘昌荣

法律状态：

公开

国省代码：

四川省成都市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-25	公开	公开
2025-04-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G05F 3/26申请日:20241211

共 50 条

[1]

改善NMOS热载流子效应的方法 [P].

孙德明 .

中国专利 :CN106373889B ,2017-02-01

[2]

改善NMOSFET热载流子效应的方法及NMOSFET器件 [P].

陆逸枫 ;

潘宗延 ;

陈明志 .

中国专利 :CN112038404A ,2020-12-04

[3]

一种改善IO器件热载流子效应的方法 [P].

陆逸枫 ;

张志诚 ;

陈明志 .

中国专利 :CN111653485A ,2020-09-11

[4]

一种改善高压LDMOS热载流子效应的方法 [P].

令海阳 ;

钱文生 .

中国专利 :CN115692203A ,2023-02-03

[5]

热载流子测试电路 [P].

甘正浩 .

中国专利 :CN203811768U ,2014-09-03

[6]

信道热载流子效应测量装置及其方法 [P].

陈伟梵 .

中国专利 :CN1378255A ,2002-11-06

[7]

热载流子注入失效预警电路 [P].

陈义强 ;

王彬 ;

恩云飞 ;

陆裕东 ;

黄云 .

中国专利 :CN103217637B ,2013-07-24

[8]

热载流子效应退化性能的评估方法 [P].

胡健 ;

吕康 ;

熊阳 .

中国专利 :CN114720831A ,2022-07-08

[9]

评估器件热载流子效应的方法 [P].

许杞安 .

中国专利 :CN113394124A ,2021-09-14

[10]

一种短沟道NMOS管热载流子退化效应的等效电路 [P].

张俊安 ;

胡金鑫 ;

张庆伟 ;

丁朝远 ;

刘钦晓 .

中国专利 :CN113486615A ,2021-10-08

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