半导体元件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611249424.7

申请日：

2016-12-29

公开(公告)号：

CN108257959A

公开(公告)日：

2018-07-06

发明(设计)人：

王永铭刘立伟詹书俨永井享浩詹电鍼林哲平

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L218242

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-06	公开	公开
2020-07-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 27/108 申请公布日:20180706

共 50 条

[1]

半导体元件及其制作方法 [P].

王智亿 ;

胡雅婷 ;

陈纬哲 ;

陈长义 ;

曾坤赐 ;

王尧展 .

中国专利 :CN119132957A ,2024-12-13

[2]

半导体元件及其制作方法 [P].

刘仕佑 ;

谢明修 ;

黃子萱 ;

温在宇 ;

王俞仁 .

中国专利 :CN114520227A ,2022-05-20

[3]

半导体元件及其制作方法 [P].

李珮瑈 ;

何坤展 ;

陈炫旭 ;

陈俊隆 .

中国专利 :CN112201746A ,2021-01-08

[4]

半导体元件及其制作方法 [P].

郭致玮 .

中国专利 :CN114512597A ,2022-05-17

[5]

半导体元件及其制作方法 [P].

李皞明 ;

林胜豪 ;

江怀慈 .

中国专利 :CN106486372B ,2017-03-08

[6]

半导体元件及其制作方法 [P].

萧世楹 ;

游焜煌 ;

李年中 ;

李文芳 ;

王智充 .

中国专利 :CN106298485A ,2017-01-04

[7]

半导体元件及其制作方法 [P].

林猷颖 ;

叶怡良 ;

蔡松蒝 ;

游峻伟 ;

王俞仁 ;

吴振 ;

林泰言 .

中国专利 :CN110246803A ,2019-09-17

[8]

半导体元件及其制作方法 [P].

陈长义 ;

李国兴 ;

林俊贤 ;

曾坤赐 ;

薛胜元 ;

王尧展 .

中国专利 :CN119521754A ,2025-02-25

[9]

半导体元件及其制作方法 [P].

刘健恒 ;

黄家纬 ;

于心仁 ;

郑永丰 ;

陈明瑞 .

中国专利 :CN114512441A ,2022-05-17

[10]

半导体元件及其制作方法 [P].

苏郁珊 ;

吴家伟 ;

钟定邦 .

中国专利 :CN110676221B ,2020-01-10

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