基于CsPbBr3/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910608570.1
申请日
2019-07-05
公开(公告)号
CN110243889A
公开(公告)日
2019-09-17
发明(设计)人
毛乐宝 张修华 文为 何汉平 王升富
申请人
申请人地址
430062 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号
IPC主分类号
G01N2726
IPC分类号
G01N2736 G01N27327 G01N2730
代理机构
北京金智普华知识产权代理有限公司 11401
代理人
杨采良
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[41]
汞离子光电化学传感器工作电极及其制备方法和应用 [P]. 
郝远强 ;
张银堂 ;
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[42]
用于检测卡那霉素的光电化学传感器及其制备方法和应用 [P]. 
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[43]
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[45]
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金党琴 ;
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[47]
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[48]
基于电化学沉积与分子印迹的BPA电化学传感器及其制备方法 [P]. 
石勇 ;
赵广超 ;
李新勇 ;
薛方红 ;
李春艳 ;
肇启东 .
中国专利 :CN103207231A ,2013-07-17
[49]
一种磁性分子印迹电化学传感器及其制备方法和应用 [P]. 
周廷廷 ;
孙树凯 ;
田清武 ;
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邓梓雯 ;
翟玉娥 ;
赵鹏 ;
周雨笋 .
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[50]
光电化学传感器、其制备方法及其用途 [P]. 
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