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基于CsPbBr3/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910608570.1
申请日：
2019-07-05
公开(公告)号：
CN110243889A
公开(公告)日：
2019-09-17
发明(设计)人：
毛乐宝 张修华 文为 何汉平 王升富
申请人：
申请人地址：
430062 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号
IPC主分类号：
G01N2726
IPC分类号：
G01N2736 G01N27327 G01N2730
代理机构：
北京金智普华知识产权代理有限公司 11401
代理人：
杨采良
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-10-15 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/26 申请日:20190705
2021-06-15 授权 授权
2019-09-17 公开 公开
共 50 条
[21]
双信号分子印迹电化学传感器及其制备方法和应用 [P]. 
阚显文 ;
柴绒 .
中国专利 :CN109900766A ,2019-06-18
[22]
一种磁性表面分子印迹电化学传感器及其制备方法和应用 [P]. 
邵彦明 ;
朱莹 ;
郑蕊 ;
王鹏 ;
赵芝镇 ;
安军 ;
王海花 ;
费贵强 .
中国专利 :CN114644737A ,2022-06-21
[23]
一种双酚A分子印迹电化学传感器及其制备方法和应用 [P]. 
丁金龙 ;
刘洁 ;
赵肃清 ;
崔锡平 ;
吴盼盼 ;
胡青青 ;
焦洛莹 ;
陈莹珊 ;
沈定 .
中国专利 :CN106018530A ,2016-10-12
[24]
一种基于有机-无机量子点P-N异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用 [P]. 
毛乐宝 ;
张修华 ;
文为 ;
何汉平 ;
王升富 .
中国专利 :CN109001281B ,2018-12-14
[25]
一种光电化学传感器及其制备方法和应用 [P]. 
杨钰昆 ;
魏浩浩 ;
王小敏 ;
白宝清 ;
张锦华 ;
范三红 ;
尉立刚 ;
郭彩霞 .
中国专利 :CN114839246A ,2022-08-02
[26]
一种基于N,S-CDs/CuPc复合材料的分子印迹光电化学传感器的制备方法和应用 [P]. 
毛乐宝 ;
张修华 ;
文为 ;
何汉平 ;
王升富 .
中国专利 :CN109781819B ,2019-05-21
[27]
基于宽光谱双光电极的光电化学传感器及其制备方法和应用 [P]. 
刘倩 ;
彭玉歆 ;
刘奕佳 ;
谢婉婷 ;
李兰 .
中国专利 :CN120778836A ,2025-10-14
[28]
一种基于分子印迹双波长便携式光电化学传感器及其制备方法和应用 [P]. 
于磊 ;
张俏 ;
孙悦 .
中国专利 :CN118759015A ,2024-10-11
[29]
一种基于分子印迹双波长便携式光电化学传感器及其制备方法和应用 [P]. 
于磊 ;
张俏 ;
孙悦 .
中国专利 :CN118759015B ,2025-04-08
[30]
基于CNQDs@CTP纳米复合材料的分子印迹阴极光电化学传感器的制备方法及其应用 [P]. 
牛其建 ;
王婧 ;
张梦鸽 ;
汤程顺 ;
王雪婧 ;
朱一华 ;
史俊 ;
董秀秀 ;
纪冠亚 ;
刘倩 .
中国专利 :CN119985646A ,2025-05-13
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