一种用于抛光锗单晶的抛光液及锗单晶抛光方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111333982.2

申请日：

2021-11-11

公开(公告)号：

CN113913116B

公开(公告)日：

2022-01-11

发明(设计)人：

杲星李忠继顾跃赵玲赵静刘小琦

申请人：

申请人地址：

400060 重庆市南岸区南坪花园路14号

IPC主分类号：

C09G102

IPC分类号：

B24B3704 B24B722

代理机构：

重庆博凯知识产权代理有限公司 50212

代理人：

万霞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09G 1/02 申请日:20211111
2022-01-11	公开	公开
2022-09-09	授权	授权

共 50 条

[1]

锗单晶抛光片的清洗方法 [P].

肖祥江 ;

李苏滨 ;

惠峰 ;

李雪峰 ;

柳廷龙 ;

李武芳 ;

周一 ;

杨海超 ;

侯振海 ;

囤国超 ;

田东 .

中国专利 :CN106057645A ,2016-10-26

[2]

抛光液及应用该抛光液对CdS晶片抛光的抛光方法 [P].

李晖 ;

徐永宽 ;

程红娟 .

中国专利 :CN102952467A ,2013-03-06

[3]

一种锗单晶抛光片的清洗方法 [P].

杨洪星 ;

陈晨 ;

赵权 ;

刘春香 ;

王云彪 ;

耿莉 .

中国专利 :CN104377119B ,2015-02-25

[4]

一种单晶碱抛光添加剂、抛光液及抛光方法 [P].

蒋旭东 ;

朱进 ;

蒋良平 .

中国专利 :CN113322008A ,2021-08-31

[5]

一种锗抛光液 [P].

高如山 .

中国专利 :CN104178034A ,2014-12-03

[6]

一种用于硅单晶片抛光的抛光液及其制备与应用 [P].

孔慧 ;

刘卫丽 ;

宋志堂 ;

汪海波 .

中国专利 :CN102391787B ,2012-03-28

[7]

抛光液、抛光机以及抛光方法 [P].

王同庆 ;

王婕 ;

路新春 .

中国专利 :CN105773399A ,2016-07-20

[8]

抛光液及使用该抛光液的抛光方法 [P].

上村哲也 .

中国专利 :CN101397482A ,2009-04-01

[9]

一种用于锗晶片化学机械抛光的精抛光液和精抛光方法 [P].

王元立 ;

贺友华 ;

陈美琳 .

中国专利 :CN114479674A ,2022-05-13

[10]

抛光液及使用该抛光液的抛光方法 [P].

上村哲也 .

中国专利 :CN101333417A ,2008-12-31

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