含氮透明导电氧化物盖层组合物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480015918.1

申请日：

2014-03-14

公开(公告)号：

CN105051912A

公开(公告)日：

2015-11-11

发明(设计)人：

R·Y·克罗特科夫 J·J·雷利

申请人：

申请人地址：

美国宾夕法尼亚州

IPC主分类号：

H01L3104

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

乐洪咏;沙永生

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101647574368 IPC(主分类):H01L 31/04 专利申请号:2014800159181 申请日:20140314
2015-11-11	公开	公开
2017-07-25	授权	授权

共 50 条

[1]

透明导电氧化物 [P].

弗拉基米尔·L·库兹涅佐夫 ;

彼得·P·爱德华兹 .

中国专利 :CN102576577A ,2012-07-11

[2]

透明导电氧化物 [P].

理查德·欧内斯特·德马雷 ;

穆昆丹·纳拉辛汉 .

中国专利 :CN1826423A ,2006-08-30

[3]

增强导电氧化物层雾度的方法及透明导电氧化物透明基底 [P].

路胜博 .

中国专利 :CN103426968A ,2013-12-04

[4]

透明导电氧化物镀膜玻璃 [P].

曹燕语 .

中国专利 :CN221718017U ,2024-09-17

[5]

掺杂的透明导电氧化物 [P].

道格拉斯·道森 ;

斯科特·米勒斯 ;

泊伊尔·帕斯马科夫 ;

戴尔·罗伯逊 ;

赵志波 .

中国专利 :CN102482796A ,2012-05-30

[6]

制造透明导电氧化物涂层的方法 [P].

卓阿克姆·沐勒 ;

刘健 ;

斯蒂芬·威尔德 .

中国专利 :CN101521247A ,2009-09-02

[7]

去除透明导电氧化物的方法 [P].

克里斯蒂安·德罗斯特 ;

彭寿 .

中国专利 :CN106929906A ,2017-07-07

[8]

氧化物烧结体、靶电极、氧化物透明电极的制造方法以及氧化物透明导电膜 [P].

阿部能之 ;

中山德行 ;

小原刚 ;

和气理一郎 .

中国专利 :CN102543250A ,2012-07-04

[9]

用于制造透明导电氧化物多层的方法 [P].

保罗·洛西奥 ;

奥努尔·恰拉尔 ;

彼得·雷希特施泰纳 ;

珀赖因·卡鲁瓦 ;

霍尔格·克赖斯特 .

中国专利 :CN103430317A ,2013-12-04

[10]

透明导电氧化物的等离子体沉积方式 [P].

李沅民 ;

马昕 .

中国专利 :CN101246913A ,2008-08-20

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