晶体管版图结构、晶体管及制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710241901.3

申请日：

2017-04-14

公开(公告)号：

CN108735727A

公开(公告)日：

2018-11-02

发明(设计)人：

王伟江宇雷

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

H01L2978 H01L29423 H01L21336

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-01	授权	授权
2018-11-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20170414
2018-11-02	公开	公开

共 50 条

[1]

CMOS晶体管及制作方法、NMOS晶体管及制作方法 [P].

平延磊 ;

鲍宇 .

中国专利 :CN103066019A ,2013-04-24

[2]

CMOS晶体管及制作方法、PMOS晶体管及制作方法 [P].

平延磊 .

中国专利 :CN103066020B ,2013-04-24

[3]

晶体管及其制作方法 [P].

王学良 ;

刘建华 ;

郎金荣 ;

闵亚能 .

中国专利 :CN113327845B ,2024-02-13

[4]

晶体管及其制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102479706A ,2012-05-30

[5]

晶体管及其制作方法 [P].

冯雪 ;

唐树澍 ;

吴小利 .

中国专利 :CN102122669A ,2011-07-13

[6]

晶体管的版图结构、晶体管及其制造方法 [P].

沈景龙 ;

张楠 ;

曲世军 ;

陈春鹏 .

中国专利 :CN107482003B ,2017-12-15

[7]

晶体管及其制作方法 [P].

王学良 ;

刘建华 ;

郎金荣 ;

闵亚能 .

中国专利 :CN113327845A ,2021-08-31

[8]

晶体管及其制作方法 [P].

张海洋 ;

刘少雄 .

中国专利 :CN108735804B ,2018-11-02

[9]

晶体管及其制作方法 [P].

赵猛 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN102623337B ,2012-08-01

[10]

晶体管及其制作方法 [P].

赵猛 ;

韩永召 .

中国专利 :CN102479707A ,2012-05-30

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