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蚀刻液组合物
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201811083417.3
申请日
:
2018-09-14
公开(公告)号
:
CN109518189A
公开(公告)日
:
2019-03-26
发明(设计)人
:
朴相*
吴陈*
金益俊
金希泰
尹景湖
金世训
申请人
:
申请人地址
:
韩国京畿道
IPC主分类号
:
C23F144
IPC分类号
:
代理机构
:
北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371
代理人
:
金相允;梁香美
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-03-26
公开
公开
2019-04-19
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C23F 1/44 申请日:20180914
2021-05-25
授权
授权
共 50 条
[1]
蚀刻液组合物
[P].
尹景湖
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0
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尹景湖
;
申孝燮
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申孝燮
;
金世训
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金世训
.
中国专利
:CN107090581A
,2017-08-25
[2]
铜钼合金膜的蚀刻液组合物
[P].
李恩庆
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李恩庆
;
金世训
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金世训
;
申孝燮
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申孝燮
;
李宝妍
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李宝妍
.
中国专利
:CN103668208B
,2014-03-26
[3]
蚀刻液组合物
[P].
李明翰
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李明翰
;
安镐源
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安镐源
;
金世训
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金世训
.
中国专利
:CN108235710B
,2018-06-29
[4]
一种蚀刻液组合物
[P].
李嘉
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李嘉
.
中国专利
:CN108085683A
,2018-05-29
[5]
一种铜蚀刻液组合物及其应用
[P].
李恩庆
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四川和晟达电子科技有限公司
四川和晟达电子科技有限公司
李恩庆
;
谢一泽
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四川和晟达电子科技有限公司
四川和晟达电子科技有限公司
谢一泽
;
赵东
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四川和晟达电子科技有限公司
四川和晟达电子科技有限公司
赵东
;
李闯
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四川和晟达电子科技有限公司
四川和晟达电子科技有限公司
李闯
;
张红伟
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四川和晟达电子科技有限公司
四川和晟达电子科技有限公司
张红伟
;
黄海东
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机构:
四川和晟达电子科技有限公司
四川和晟达电子科技有限公司
黄海东
;
胡天齐
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机构:
四川和晟达电子科技有限公司
四川和晟达电子科技有限公司
胡天齐
.
中国专利
:CN118895506A
,2024-11-05
[6]
一种铜/钼蚀刻液组合物及其应用
[P].
吴豪旭
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吴豪旭
;
赵芬利
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赵芬利
;
梅园
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梅园
.
中国专利
:CN109082663A
,2018-12-25
[7]
蚀刻液组合物和蚀刻方法
[P].
青木珠美
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青木珠美
;
正元祐次
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正元祐次
;
斋尾佳秀
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斋尾佳秀
;
石崎隼郎
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石崎隼郎
.
中国专利
:CN109844910A
,2019-06-04
[8]
蚀刻液组合物和蚀刻方法
[P].
石崎隼郎
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石崎隼郎
;
大宫大辅
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大宫大辅
.
中国专利
:CN104233299B
,2014-12-24
[9]
一种蚀刻液组合物及其应用
[P].
蔡洁
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机构:
艾森半导体材料(南通)有限公司
艾森半导体材料(南通)有限公司
蔡洁
;
胡青华
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艾森半导体材料(南通)有限公司
艾森半导体材料(南通)有限公司
胡青华
;
王元元
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艾森半导体材料(南通)有限公司
艾森半导体材料(南通)有限公司
王元元
;
张兵
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艾森半导体材料(南通)有限公司
艾森半导体材料(南通)有限公司
张兵
;
向文胜
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艾森半导体材料(南通)有限公司
艾森半导体材料(南通)有限公司
向文胜
;
赵建龙
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艾森半导体材料(南通)有限公司
艾森半导体材料(南通)有限公司
赵建龙
;
杜冰
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艾森半导体材料(南通)有限公司
艾森半导体材料(南通)有限公司
杜冰
;
贾雪
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艾森半导体材料(南通)有限公司
艾森半导体材料(南通)有限公司
贾雪
;
桂立苏
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机构:
艾森半导体材料(南通)有限公司
艾森半导体材料(南通)有限公司
桂立苏
.
中国专利
:CN116288351B
,2025-10-21
[10]
一种蚀刻液组合物及其制备方法和应用
[P].
李恩庆
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机构:
四川和晟达电子科技有限公司
四川和晟达电子科技有限公司
李恩庆
;
谢一泽
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四川和晟达电子科技有限公司
四川和晟达电子科技有限公司
谢一泽
;
赵东
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四川和晟达电子科技有限公司
四川和晟达电子科技有限公司
赵东
;
李闯
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四川和晟达电子科技有限公司
四川和晟达电子科技有限公司
李闯
;
张红伟
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四川和晟达电子科技有限公司
四川和晟达电子科技有限公司
张红伟
;
黄海东
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四川和晟达电子科技有限公司
四川和晟达电子科技有限公司
黄海东
;
胡天齐
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机构:
四川和晟达电子科技有限公司
四川和晟达电子科技有限公司
胡天齐
.
中国专利
:CN118516671A
,2024-08-20
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