基于碲化钼的忆阻器及其制备方法、非易失性存贮器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011154078.0

申请日：

2020-10-26

公开(公告)号：

CN112331766A

公开(公告)日：

2021-02-05

发明(设计)人：

杨蕊何慧凯江勇波黄腾

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

孔娜;李智

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-05	公开	公开
2021-02-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20201026

共 50 条

[1]

聚多巴胺薄膜及其应用、制备非易失性忆阻器和易失性忆阻器的方法 [P].

于贵 ;

王华平 ;

姜倩晴 ;

蔡乐 .

中国专利 :CN113683885B ,2021-11-23

[2]

对非易失性存贮器编程的方法 [P].

崔雄林 .

中国专利 :CN1170934A ,1998-01-21

[3]

非易失多值忆阻器 [P].

陈子龙 ;

程传同 ;

李刘杰 ;

黄北举 ;

毛旭瑞 .

中国专利 :CN211743191U ,2020-10-23

[4]

非易失多值忆阻器 [P].

陈子龙 ;

程传同 ;

李刘杰 ;

黄北举 ;

毛旭瑞 .

中国专利 :CN111477741A ,2020-07-31

[5]

非易失型半导体存贮器 [P].

徐康德 ;

金镇祺 ;

崔定 .

中国专利 :CN1039608C ,1994-09-21

[6]

一种非易失性WO<sub>3</sub>忆阻器及其制备方法 [P].

余志强 ;

赵新为 ;

镇丹 ;

孙堂友 ;

肖清泉 ;

高廷红 ;

陈茜 ;

谢泉 ;

贾金皓 ;

王清成 ;

曲信儒 .

中国专利 :CN118317687A ,2024-07-09

[7]

基于纳米结构开关忆阻器的非易失存储器单元电路 [P].

温殿忠 ;

李蕾 .

中国专利 :CN103367638A ,2013-10-23

[8]

一种非易失性ZnO薄膜忆阻器及其制备方法 [P].

余志强 ;

陈诚 ;

镇丹 ;

谢泉 ;

肖清泉 ;

高廷红 ;

陈茜 ;

张喨 ;

韩旭 ;

徐佳敏 ;

曲信儒 .

中国专利 :CN115347116A ,2022-11-15

[9]

基于易失性忆阻器的真随机数发生器及忆阻器制备方法 [P].

张亦舒 ;

罗琪 ;

张国滨 .

中国专利 :CN120973340A ,2025-11-18

[10]

一种兼具易失性与非易失性的CuxO忆阻器及其调控方法 [P].

孙华军 ;

王涛 ;

缪向水 .

中国专利 :CN112289930B ,2021-01-29

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