一种非易失性WO<sub>3</sub>忆阻器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410482101.0

申请日：

2024-04-22

公开(公告)号：

CN118317687A

公开(公告)日：

2024-07-09

发明(设计)人：

余志强赵新为镇丹孙堂友肖清泉高廷红陈茜谢泉贾金皓王清成曲信儒

申请人：

广西科技大学

申请人地址：

545006 广西壮族自治区柳州市城中区文昌路2号

IPC主分类号：

H10N70/20

IPC分类号：

H10N70/00 B82Y30/00

代理机构：

成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241

代理人：

邓永红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广西壮族自治区柳州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-07-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/20申请日:20240422
2024-07-09	公开	公开

共 50 条

[1]

非易失多值忆阻器 [P].

陈子龙 ;

程传同 ;

李刘杰 ;

黄北举 ;

毛旭瑞 .

中国专利 :CN211743191U ,2020-10-23

[2]

非易失多值忆阻器 [P].

陈子龙 ;

程传同 ;

李刘杰 ;

黄北举 ;

毛旭瑞 .

中国专利 :CN111477741A ,2020-07-31

[3]

一种非易失性α-Fe2O3纳米线忆阻器及其制备方法 [P].

余志强 ;

徐佳敏 ;

镇丹 ;

谢泉 ;

肖清泉 ;

高廷红 ;

陈茜 ;

孙子君 ;

陈诚 ;

韩旭 ;

曲信儒 .

中国专利 :CN115411182A ,2022-11-29

[4]

聚多巴胺薄膜及其应用、制备非易失性忆阻器和易失性忆阻器的方法 [P].

于贵 ;

王华平 ;

姜倩晴 ;

蔡乐 .

中国专利 :CN113683885B ,2021-11-23

[5]

一种非易失性ZnO薄膜忆阻器及其制备方法 [P].

余志强 ;

陈诚 ;

镇丹 ;

谢泉 ;

肖清泉 ;

高廷红 ;

陈茜 ;

张喨 ;

韩旭 ;

徐佳敏 ;

曲信儒 .

中国专利 :CN115347116A ,2022-11-15

[6]

基于碲化钼的忆阻器及其制备方法、非易失性存贮器 [P].

杨蕊 ;

何慧凯 ;

江勇波 ;

黄腾 .

中国专利 :CN112331766A ,2021-02-05

[7]

一种兼具易失性与非易失性的CuxO忆阻器及其调控方法 [P].

孙华军 ;

王涛 ;

缪向水 .

中国专利 :CN112289930B ,2021-01-29

[8]

一种基于Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/ITZO异质结光电忆阻器、制备方法及其应用 [P].

耿魁伟 ;

林勇徽 ;

刘玉荣 .

中国专利 :CN119836223A ,2025-04-15

[9]

一种基于Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/ITZO异质结光电忆阻器、制备方法及其应用 [P].

耿魁伟 ;

林勇徽 ;

刘玉荣 .

中国专利 :CN119836223B ,2025-12-05

[10]

一种易失性/非易失性功能可切换的光电忆阻器及其制备方法 [P].

陈耿旭 ;

黄紫玉 ;

陈惠鹏 ;

郭太良 .

中国专利 :CN120129458A ,2025-06-10

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