基于氢化微晶硅薄膜的晶体硅异质结太阳电池的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010510107.2

申请日：

2010-10-15

公开(公告)号：

CN101976710A

公开(公告)日：

2011-02-16

发明(设计)人：

孟凡英汪建强张松程雪梅韩涛司新文李翔黄建华

申请人：

申请人地址：

200240 上海市闵行区东川路800号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L31072 H01L310368

代理机构：

上海交达专利事务所 31201

代理人：

王锡麟;王桂忠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-02-16	公开	公开
2012-07-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101412329472 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2010105101072 公开日:20110216
2011-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101061113965 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2010105101072 申请日:20101015

共 50 条

[1]

晶体硅-非晶硅异质结太阳电池 [P].

李志强 ;

黄岳文 ;

易月星 ;

唐则祁 ;

胡宏勋 .

中国专利 :CN201349015Y ,2009-11-18

[2]

非晶硅/晶体硅异质结太阳电池 [P].

石建华 ;

孟凡英 ;

刘正新 .

中国专利 :CN209104182U ,2019-07-12

[3]

非晶硅/晶体硅异质结太阳电池及制备方法 [P].

石建华 ;

孟凡英 ;

刘正新 .

中国专利 :CN111435693A ,2020-07-21

[4]

非晶硅－晶体硅异质结太阳电池 [P].

袁晓 ;

李涛勇 .

中国专利 :CN101043058A ,2007-09-26

[5]

双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池 [P].

刘正新 ;

孟凡英 ;

张丽平 ;

石建华 ;

俞健 ;

刘金宁 ;

刘毓成 .

中国专利 :CN207282509U ,2018-04-27

[6]

硅薄膜异质结太阳电池的制备方法 [P].

周之斌 ;

崔容强 ;

陈鸣波 ;

赵亮 ;

孟凡英 .

中国专利 :CN1314134C ,2005-03-02

[7]

双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池及制作方法 [P].

刘正新 ;

孟凡英 ;

张丽平 ;

石建华 ;

俞健 ;

刘金宁 ;

刘毓成 .

中国专利 :CN109004053A ,2018-12-14

[8]

双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池及制作方法 [P].

刘正新 ;

孟凡英 ;

张丽平 ;

石建华 ;

俞健 ;

刘金宁 ;

刘毓成 .

中国专利 :CN109004053B ,2024-03-29

[9]

硅异质结太阳电池晶硅衬底的清洗及制绒方法和硅异质结太阳电池 [P].

周永谋 ;

王伟 ;

田宏波 ;

王恩宇 ;

杨瑞鹏 ;

赵晓霞 ;

宗军 ;

李洋 ;

王雪松 .

中国专利 :CN110137302A ,2019-08-16

[10]

硅异质结太阳电池 [P].

田宏波 ;

王伟 ;

赵晓霞 ;

王恩宇 ;

宗军 ;

李洋 ;

杨瑞鹏 ;

周永谋 .

中国专利 :CN207398153U ,2018-05-22

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