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半导体器件

被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201920678132.8
申请日：
2019-05-13
公开(公告)号：
CN210129501U
公开(公告)日：
2020-03-06
发明(设计)人：
F·V·丰塔纳 G·格拉齐奥斯 M·德赖
申请人：
申请人地址：
意大利阿格拉布里安扎
IPC主分类号：
H01L2331
IPC分类号：
H01L23498 H01L23495 H01L2364
代理机构：
北京市金杜律师事务所 11256
代理人：
王茂华;郭星
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-03-06 授权 授权
共 50 条
[1]
半导体器件及对应的方法 [P]. 
F·V·丰塔纳 ;
G·格拉齐奥斯 ;
M·德赖 .
中国专利 :CN110491842A ,2019-11-22
[2]
半导体器件 [P]. 
P·巴尔 ;
S·若布洛 .
中国专利 :CN203434151U ,2014-02-12
[3]
半导体器件 [P]. 
太田祐介 ;
清水福美 .
中国专利 :CN203423167U ,2014-02-05
[4]
半导体器件 [P]. 
T·H·林 ;
吕慧敏 ;
周志雄 ;
许瑞霞 ;
P·塞拉亚 .
中国专利 :CN206282848U ,2017-06-27
[5]
半导体器件 [P]. 
B·W·麦考伊 ;
A·K·哈利 .
中国专利 :CN206698127U ,2017-12-01
[6]
半导体器件 [P]. 
F·V·丰塔纳 ;
G·格拉齐奥斯 .
中国专利 :CN206059388U ,2017-03-29
[7]
半导体器件 [P]. 
J·塔利多 .
中国专利 :CN205376495U ,2016-07-06
[8]
半导体器件 [P]. 
春日健男 ;
坂田幸治 ;
斋藤猛 .
中国专利 :CN102437133A ,2012-05-02
[9]
功率半导体器件 [P]. 
申洪植 .
韩国专利 :CN222721868U ,2025-04-04
[10]
单片半导体器件和半导体器件 [P]. 
J·W·霍尔 ;
G·M·格里弗纳 .
中国专利 :CN208189591U ,2018-12-04
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