半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620944027.0

申请日：

2016-08-25

公开(公告)号：

CN206282848U

公开(公告)日：

2017-06-27

发明(设计)人：

T·H·林吕慧敏周志雄许瑞霞 P·塞拉亚

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那

IPC主分类号：

H01L23495

IPC分类号：

H01L23488

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

金晓

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-27	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

F·V·丰塔纳 ;

G·格拉齐奥斯 ;

M·德赖 .

中国专利 :CN210129501U ,2020-03-06

[2]

半导体器件 [P].

太田祐介 ;

清水福美 .

中国专利 :CN203423167U ,2014-02-05

[3]

半导体器件 [P].

J·塔利多 .

中国专利 :CN205376495U ,2016-07-06

[4]

单片半导体器件和半导体器件 [P].

J·W·霍尔 ;

G·M·格里弗纳 .

中国专利 :CN208189591U ,2018-12-04

[5]

单片半导体器件和半导体器件 [P].

J·W·霍尔 ;

G·M·格里弗纳 .

中国专利 :CN208189592U ,2018-12-04

[6]

半导体器件及半导体器件结构 [P].

P·莫恩斯 ;

A·维拉莫 ;

P·范米尔贝克 ;

J·罗伊格-吉塔特 ;

F·伯格曼 .

中国专利 :CN203690306U ,2014-07-02

[7]

半导体器件及半导体器件结构 [P].

J·罗伊格-吉塔特 ;

P·莫恩斯 ;

P·范米尔贝克 .

中国专利 :CN203690305U ,2014-07-02

[8]

IGBT半导体器件以及半导体器件 [P].

M·库鲁西 ;

J·瓦韦罗 .

中国专利 :CN206697484U ,2017-12-01

[9]

单片半导体器件和半导体器件 [P].

J·W·霍尔 ;

G·M·格里弗纳 .

中国专利 :CN207367973U ,2018-05-15

[10]

单片半导体器件和半导体器件 [P].

J·W·霍尔 ;

G·M·格里弗纳 .

中国专利 :CN208189593U ,2018-12-04

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