半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320277883.1

申请日：

2013-05-21

公开(公告)号：

CN203423167U

公开(公告)日：

2014-02-05

发明(设计)人：

太田祐介清水福美

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L2349

IPC分类号：

H01L2331

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

高科

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-15	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 23/49 变更事项:专利权人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川变更后:日本东京
2014-02-05	授权	授权
2019-05-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/49 申请日:20130521 授权公告日:20140205 终止日期:20180521

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法 [P].

太田祐介 ;

清水福美 .

中国专利 :CN103426781A ,2013-12-04

[2]

半导体器件 [P].

F·V·丰塔纳 ;

G·格拉齐奥斯 ;

M·德赖 .

中国专利 :CN210129501U ,2020-03-06

[3]

半导体器件 [P].

T·H·林 ;

吕慧敏 ;

周志雄 ;

许瑞霞 ;

P·塞拉亚 .

中国专利 :CN206282848U ,2017-06-27

[4]

半导体器件 [P].

沼崎雅人 .

中国专利 :CN202996818U ,2013-06-12

[5]

半导体器件 [P].

J·塔利多 .

中国专利 :CN205376495U ,2016-07-06

[6]

半导体器件和半导体器件的制作方法 [P].

河田洋一 ;

小泉浩二 ;

杉山道昭 ;

藤嶋敦 ;

中岛靖之 ;

荻原孝俊 .

中国专利 :CN1237785A ,1999-12-08

[7]

单片半导体器件和半导体器件 [P].

J·W·霍尔 ;

G·M·格里弗纳 .

中国专利 :CN208189591U ,2018-12-04

[8]

半导体器件以及半导体器件封装 [P].

朴修益 ;

成演准 ;

金珉成 ;

李容京 ;

李恩得 .

中国专利 :CN114093994A ,2022-02-25

[9]

单片半导体器件和半导体器件 [P].

J·W·霍尔 ;

G·M·格里弗纳 .

中国专利 :CN208189592U ,2018-12-04

[10]

半导体器件及半导体器件结构 [P].

P·莫恩斯 ;

A·维拉莫 ;

P·范米尔贝克 ;

J·罗伊格-吉塔特 ;

F·伯格曼 .

中国专利 :CN203690306U ,2014-07-02

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