一种磁控溅射生长的埋嵌电阻薄膜材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311687638.2

申请日：

2023-12-11

公开(公告)号：

CN117637271A

公开(公告)日：

2024-03-01

发明(设计)人：

徐永兵李年广严羽

申请人：

南京大学

申请人地址：

210026 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号

IPC主分类号：

H01C17/12

IPC分类号：

H01C17/075 H01C7/00

代理机构：

南京众联专利代理有限公司 32206

代理人：

杜静静

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-01	公开	公开
2024-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01C 17/12申请日:20231211

共 50 条

[1]

一种极低电阻温度系数的埋嵌电阻薄膜材料及制备方法 [P].

徐永兵 ;

王灿 ;

严羽 .

中国专利 :CN119381104A ,2025-01-28

[2]

一种极低电阻温度系数的埋嵌电阻薄膜材料及制备方法 [P].

徐永兵 ;

王灿 ;

严羽 .

中国专利 :CN119381104B ,2025-11-14

[3]

一种双层膜结构的埋嵌电阻薄膜材料 [P].

徐永兵 ;

冯冠群 ;

严羽 .

中国专利 :CN117637266A ,2024-03-01

[4]

一种由磁控溅射制备纳米多孔铜薄膜材料的方法 [P].

司鹏超 ;

孙挥 .

中国专利 :CN105543796B ,2016-05-04

[5]

一种用于薄膜电阻磁控溅射镀膜的治具 [P].

林来福 ;

严勇 ;

潘甲东 ;

潘云 ;

赵章迅 .

中国专利 :CN222226528U ,2024-12-24

[6]

一种用于埋嵌电阻PCB的电阻浆料制备方法 [P].

熊超 ;

耿丽娅 ;

陈定红 ;

耿克非 .

中国专利 :CN110590238A ,2019-12-20

[7]

一种用于调试磁控溅射法制备的薄膜均匀性的方法 [P].

李兆营 ;

朱景春 ;

李萌萌 .

中国专利 :CN116162911B ,2024-06-11

[8]

一种埋嵌电阻PCB制备方法 [P].

熊超 ;

耿丽娅 ;

陈定红 ;

耿克非 .

中国专利 :CN110493955A ,2019-11-22

[9]

一种在线监控埋嵌电阻的集成装置及埋嵌电阻的制作方法 [P].

周国云 ;

张秀梅 ;

何为 ;

王翀 ;

王守绪 ;

陈苑明 ;

洪延 ;

杨文君 ;

李明瑞 .

中国专利 :CN110389257A ,2019-10-29

[10]

一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的溅射装置 [P].

肖金泉 ;

高俊华 ;

闻立时 ;

张林 ;

石南林 ;

宫骏 ;

孙超 .

中国专利 :CN202246841U ,2012-05-30

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