一种用于调试磁控溅射法制备的薄膜均匀性的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310163723.2

申请日：

2023-02-24

公开(公告)号：

CN116162911B

公开(公告)日：

2024-06-11

发明(设计)人：

李兆营朱景春李萌萌

申请人：

安徽光智科技有限公司

申请人地址：

239064 安徽省滁州市琅琊经济开发区南京路100号

IPC主分类号：

C23C14/35

IPC分类号：

C23C14/54

代理机构：

北京天盾知识产权代理有限公司 11421

代理人：

肖小龙

法律状态：

专利权质押登记、变更及注销

国省代码：

安徽省安庆市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-19	专利权质押登记、变更及注销	专利权质押登记注销IPC(主分类):C23C 14/35授权公告日:20240611申请日:20230224登记号:Y2025980032910出质人:安徽光智科技有限公司质权人:中国邮政储蓄银行股份有限公司滁州市分行注销日:20251203
2024-06-11	授权	授权
2025-08-29	专利权质押登记、变更及注销	专利权质押登记IPC(主分类):C23C 14/35登记号:Y2025980032910登记日:20250814出质人:安徽光智科技有限公司质权人:中国邮政储蓄银行股份有限公司滁州市分行发明名称:一种用于调试磁控溅射法制备的薄膜均匀性的方法申请日:20230224授权公告日:20240611

共 50 条

[1]

一种利用磁控溅射法制备Nb薄膜的方法 [P].

贾小氢 ;

刘晓宇 ;

康琳 ;

吴培亨 .

中国专利 :CN102864427A ,2013-01-09

[2]

一种利用磁控溅射法制备NbTi薄膜的方法 [P].

贾小氢 ;

刘晓宇 ;

康琳 ;

吴培亨 .

中国专利 :CN101914753A ,2010-12-15

[3]

磁控溅射法制备TiCoSb半导体薄膜 [P].

秦娟 ;

孙纽一 ;

王国华 ;

张敏 ;

吴纯清 ;

史伟民 .

中国专利 :CN103280399A ,2013-09-04

[4]

一种用于制备CIGS薄膜的磁控溅射法 [P].

孙桂红 ;

黄乐 ;

陈立 ;

凌云 ;

黄夏 ;

祝海生 ;

黄国兴 .

中国专利 :CN109913812A ,2019-06-21

[5]

利用磁控溅射法制备电阻率分布均匀的AZO薄膜的方法 [P].

黄峰 ;

孟凡平 ;

李朋 .

中国专利 :CN105063560A ,2015-11-18

[6]

一种运用磁控溅射法制备透明导电薄膜的方法 [P].

李文英 ;

尹桂林 ;

张柯 ;

姜新来 ;

钟建 ;

余震 ;

何丹农 .

中国专利 :CN102719792A ,2012-10-10

[7]

一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的溅射装置 [P].

肖金泉 ;

高俊华 ;

闻立时 ;

张林 ;

石南林 ;

宫骏 ;

孙超 .

中国专利 :CN202246841U ,2012-05-30

[8]

一种改善磁控溅射薄膜均匀性的方法 [P].

毛启明 ;

尹桂林 .

中国专利 :CN102453880A ,2012-05-16

[9]

一种通过直流磁控溅射法制备氧化钽薄膜的方法 [P].

王海钱 ;

苏豪凯 ;

温刘平 ;

吴智升 ;

王伯宇 ;

王晓强 .

中国专利 :CN106958008A ,2017-07-18

[10]

混合靶磁控溅射法制备钛酸钴薄膜的方法 [P].

卢靖 ;

黄剑锋 ;

曹丽云 ;

吴建鹏 ;

赵东辉 .

中国专利 :CN102041475A ,2011-05-04

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