一种垂直面射型的激光结构及制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910423254.7

申请日：

2019-05-21

公开(公告)号：

CN110048306B

公开(公告)日：

2024-04-26

发明(设计)人：

彭钰仁

申请人：

厦门乾照半导体科技有限公司

申请人地址：

361100 福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路267号

IPC主分类号：

H01S5/183

IPC分类号：

H01S5/187

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

王宝筠

法律状态：

授权

国省代码：

福建省厦门市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-26	授权	授权

共 50 条

[1]

一种垂直面射型的激光结构及制作方法 [P].

彭钰仁 .

中国专利 :CN110048306A ,2019-07-23

[2]

一种垂直面射型的激光结构 [P].

彭钰仁 .

中国专利 :CN209516312U ,2019-10-18

[3]

一种垂直腔面发射激光芯片及其制作方法 [P].

彭钰仁 ;

贾钊 ;

许晏铭 ;

洪来荣 ;

陈为民 ;

陈进顺 ;

翁妹芝 ;

张坤铭 ;

朱鸿根 ;

陈伟明 ;

许勇辉 ;

郭河 .

中国专利 :CN109088311A ,2018-12-25

[4]

一种沟槽型IGBT结构的制作方法 [P].

赵佳 ;

朱阳军 ;

胡爱斌 ;

卢烁今 .

中国专利 :CN103839802B ,2014-06-04

[5]

一种激光器外延结构及其制作方法、VCSEL芯片 [P].

林志伟 ;

陈凯轩 ;

童吉楚 ;

谢昆江 ;

徐枫 .

中国专利 :CN112615257B ,2025-05-13

[6]

一种激光器外延结构及其制作方法、VCSEL芯片 [P].

林志伟 ;

陈凯轩 ;

童吉楚 ;

谢昆江 ;

徐枫 .

中国专利 :CN112615257A ,2021-04-06

[7]

一种MOSFET结构的制作方法及MOSFET结构 [P].

李佩珊 ;

杨承晋 ;

刘涛 .

中国专利 :CN119132964A ,2024-12-13

[8]

一种MOSFET结构的制作方法及MOSFET结构 [P].

李佩珊 ;

杨承晋 ;

刘涛 .

中国专利 :CN119132964B ,2025-03-07

[9]

一种垂直腔面发射激光器及其制作方法 [P].

宁永强 ;

张祥伟 ;

秦莉 ;

刘云 ;

王立军 .

中国专利 :CN102801107B ,2012-11-28

[10]

一种垂直腔面发射激光器及其制作方法 [P].

张星 .

中国专利 :CN111564755B ,2020-08-21

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