一种MOSFET结构的制作方法及MOSFET结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411617534.9

申请日：

2024-11-13

公开(公告)号：

CN119132964B

公开(公告)日：

2025-03-07

发明(设计)人：

李佩珊杨承晋刘涛

申请人：

深圳市森国科科技股份有限公司

申请人地址：

518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新南九道10号深圳湾生态园10栋A座12层

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/63 H10D62/10

代理机构：

深圳砾智知识产权代理事务所(普通合伙) 44722

代理人：

张合成

法律状态：

授权

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-07	授权	授权
2024-12-13	公开	公开
2024-12-31	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20241113

共 50 条

[1]

一种MOSFET结构的制作方法及MOSFET结构 [P].

李佩珊 ;

杨承晋 ;

刘涛 .

中国专利 :CN119132964A ,2024-12-13

[2]

一种MOSFET结构及制作方法 [P].

杨承晋 ;

李佩珊 ;

刘涛 ;

刘勇强 .

中国专利 :CN118888447A ,2024-11-01

[3]

MOSFET结构的制作方法和MOSFET结构 [P].

孙永生 ;

刘丽萍 ;

杜大为 ;

周南松 ;

王奇涵 ;

方浩 .

中国专利 :CN119630010A ,2025-03-14

[4]

MOSFET结构及其制作方法 [P].

骆志炯 ;

朱慧珑 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102254945A ,2011-11-23

[5]

MOSFET结构及其制作方法 [P].

骆志炯 ;

朱慧珑 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102347357B ,2012-02-08

[6]

一种多沟槽功率MOSFET结构及其制作方法 [P].

程晨 ;

王彬 ;

徐凯 ;

吴李瑞 ;

张永生 .

中国专利 :CN114628496A ,2022-06-14

[7]

一种MOSFET制造方法和MOSFET结构 [P].

杨勇 .

中国专利 :CN112002675A ,2020-11-27

[8]

一种MOSFET结构及其制作方法 [P].

陈辉 .

中国专利 :CN115458410A ,2022-12-09

[9]

一种MOSFET结构及其制作方法 [P].

丁甲 .

中国专利 :CN115207126B ,2025-07-08

[10]

MOSFET的制作方法及MOSFET [P].

方明旭 ;

陈瑜 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN112053956A ,2020-12-08

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