MOSFET结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010242722.X

申请日：

2010-07-30

公开(公告)号：

CN102347357B

公开(公告)日：

2012-02-08

发明(设计)人：

骆志炯朱慧珑尹海洲

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2951 H01L21336 H01L2128

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

倪斌

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-11-06	授权	授权
2012-02-08	公开	公开
2012-03-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101208128199 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201010242722X 申请日:20100730

共 50 条

[1]

MOSFET结构及其制作方法 [P].

骆志炯 ;

朱慧珑 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102254945A ,2011-11-23

[2]

MOSFET结构及其制作方法 [P].

朱慧珑 ;

尹海洲 ;

骆志炯 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102117750A ,2011-07-06

[3]

沟槽MOSFET及其制作方法 [P].

童亮 .

中国专利 :CN103887342A ,2014-06-25

[4]

半导体结构及其制作方法 [P].

涂言铭 ;

叶长福 .

中国专利 :CN120379331A ,2025-07-25

[5]

MOSFET结构的制作方法和MOSFET结构 [P].

孙永生 ;

刘丽萍 ;

杜大为 ;

周南松 ;

王奇涵 ;

方浩 .

中国专利 :CN119630010A ,2025-03-14

[6]

SGT结构及其制作方法 [P].

陈正嵘 .

中国专利 :CN112802892A ,2021-05-14

[7]

电感结构及其制作方法 [P].

孔蔚然 ;

钱文生 .

中国专利 :CN110349939A ,2019-10-18

[8]

一种MOSFET结构的制作方法及MOSFET结构 [P].

李佩珊 ;

杨承晋 ;

刘涛 .

中国专利 :CN119132964B ,2025-03-07

[9]

一种MOSFET结构的制作方法及MOSFET结构 [P].

李佩珊 ;

杨承晋 ;

刘涛 .

中国专利 :CN119132964A ,2024-12-13

[10]

一种MOSFET结构及其制作方法 [P].

丁甲 .

中国专利 :CN115207126B ,2025-07-08

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