MOSFET结构的制作方法和MOSFET结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311176028.6

申请日：

2023-09-12

公开(公告)号：

CN119630010A

公开(公告)日：

2025-03-14

发明(设计)人：

孙永生刘丽萍杜大为周南松王奇涵方浩

申请人：

无锡华润微电子有限公司

申请人地址：

214135 江苏省无锡市太湖国际科技园菱湖大道180号-6

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D62/10 H10D62/60 H10D62/83 H10D62/834 H10D30/60

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

张秀英

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-14	公开	公开
2025-04-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20230912

共 50 条

[1]

MOSFET结构及其制作方法 [P].

骆志炯 ;

朱慧珑 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102254945A ,2011-11-23

[2]

MOSFET结构及其制作方法 [P].

朱慧珑 ;

尹海洲 ;

骆志炯 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102117750A ,2011-07-06

[3]

MOSFET结构及其制作方法 [P].

骆志炯 ;

朱慧珑 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102347357B ,2012-02-08

[4]

一种MOSFET结构的制作方法及MOSFET结构 [P].

李佩珊 ;

杨承晋 ;

刘涛 .

中国专利 :CN119132964B ,2025-03-07

[5]

一种MOSFET结构的制作方法及MOSFET结构 [P].

李佩珊 ;

杨承晋 ;

刘涛 .

中国专利 :CN119132964A ,2024-12-13

[6]

一种MOSFET结构及其制作方法 [P].

丁甲 .

中国专利 :CN115207126B ,2025-07-08

[7]

包含中压SGT结构的MOSFET及其制作方法 [P].

丛茂杰 .

中国专利 :CN104485286A ,2015-04-01

[8]

SiC MOSFET结构的制备方法以及SiC MOSFET结构 [P].

张帅 ;

赵美英 ;

温正欣 ;

和巍巍 .

中国专利 :CN119866021A ,2025-04-22

[9]

一种MOSFET结构、功率半导体器件及MOSFET结构的制作方法 [P].

刘启军 ;

宋瓘 ;

张帅 ;

姚尧 ;

李诚瞻 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN120897481A ,2025-11-04

[10]

一种MOSFET结构及其制作方法 [P].

陈辉 .

中国专利 :CN115458410A ,2022-12-09

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