一种MOSFET结构、功率半导体器件及MOSFET结构的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410470800.3

申请日：

2024-04-18

公开(公告)号：

CN120897481A

公开(公告)日：

2025-11-04

发明(设计)人：

刘启军宋瓘张帅姚尧李诚瞻罗海辉

申请人：

株洲中车时代半导体有限公司

申请人地址：

412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室

IPC主分类号：

H10D30/60

IPC分类号：

H10D30/01 H10D64/27 H10D62/10

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司 11372

代理人：

金淼;吴昊

法律状态：

公开

国省代码：

湖南省株洲市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	公开	公开
2025-11-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/60申请日:20240418

共 50 条

[1]

一种碳化硅MOSFET器件的元胞结构及功率半导体器件 [P].

王亚飞 ;

陈喜明 ;

张超 ;

张文杰 ;

李诚瞻 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN113053992A ,2021-06-29

[2]

一种碳化硅MOSFET器件的元胞结构及功率半导体器件 [P].

王亚飞 ;

陈喜明 ;

郑昌伟 ;

焦莎莎 ;

李诚瞻 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN113054016A ,2021-06-29

[3]

一种碳化硅MOSFET器件的元胞结构及功率半导体器件 [P].

戴小平 ;

王亚飞 ;

陈喜明 ;

唐龙谷 ;

李诚瞻 ;

王彦刚 .

中国专利 :CN112786680B ,2021-05-11

[4]

一种MOSFET封装结构及功率半导体器件 [P].

方绍明 ;

陈勇 ;

张传发 ;

曾伟 .

中国专利 :CN223665454U ,2025-12-12

[5]

碳化硅MOSFET半导体器件及制作方法 [P].

崔京京 ;

章剑锋 .

中国专利 :CN114744049A ,2022-07-12

[6]

一种MOSFET结构及其制作方法 [P].

陈辉 .

中国专利 :CN115458410A ,2022-12-09

[7]

一种MOSFET结构的制作方法及MOSFET结构 [P].

李佩珊 ;

杨承晋 ;

刘涛 .

中国专利 :CN119132964B ,2025-03-07

[8]

一种MOSFET结构的制作方法及MOSFET结构 [P].

李佩珊 ;

杨承晋 ;

刘涛 .

中国专利 :CN119132964A ,2024-12-13

[9]

一种高可靠的MOSFET功率半导体器件结构 [P].

程晨 ;

王彬 ;

徐凯 ;

吴李瑞 ;

张永生 .

中国专利 :CN114122113B ,2022-03-01

[10]

MOSFET结构的制作方法和MOSFET结构 [P].

孙永生 ;

刘丽萍 ;

杜大为 ;

周南松 ;

王奇涵 ;

方浩 .

中国专利 :CN119630010A ,2025-03-14

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