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快恢复平面栅MOSFET器件及其加工工艺
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110894291.3
申请日：
2021-08-04
公开(公告)号：
CN113611746B
公开(公告)日：
2024-04-02
发明(设计)人：
孙德福
李东华
申请人：
济南市半导体元件实验所
申请人地址：
250014 山东省济南市历下区和平路51号
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L23/552
H01L21/336
代理机构：
济南诚智商标专利事务所有限公司 37105
代理人：
李修杰
法律状态：
授权
国省代码：
山东省
济南市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-04-02 | 授权 | 授权 |
| 2024-09-13 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移IPC(主分类):H01L 29/78登记生效日:20240828变更事项:专利权人变更前权利人:济南市半导体元件实验所变更后权利人:济南晶恒电子有限责任公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:250014 山东省济南市历下区和平路51号变更后权利人:250101 山东省济南市长清区平安街道经十西路13856号 |