一种高纯二氧化硅的合成方法

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专利类型
发明
申请号
CN202310703419.2
申请日
2023-06-14
公开(公告)号
CN116715244B
公开(公告)日
2024-06-11
发明(设计)人
俞磊 刘念文 吴小禾 肖欣蕊 刘建 杨斌峰 袁广树
申请人
扬州大学 四川硒莱坞科技有限公司
申请人地址
225009 江苏省扬州市大学南路88号
IPC主分类号
C01B33/18
IPC分类号
C01D3/02
代理机构
南京苏科专利代理有限责任公司 32102
代理人
董旭东
法律状态
授权
国省代码
四川省 成都市
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共 50 条
[1]
一种高纯二氧化硅加工系统及高纯二氧化硅加工方法 [P]. 
候军军 .
中国专利 :CN119608389A ,2025-03-14
[2]
高纯二氧化硅生产方法 [P]. 
藏健 ;
杨大锦 ;
彭建蓉 ;
陈加希 ;
俞德庆 ;
和晓才 ;
董英 .
中国专利 :CN101125657A ,2008-02-20
[3]
一种高纯二氧化硅颗粒的制备方法 [P]. 
李婷 ;
李超 ;
刘俊龙 ;
程周耀 ;
黄丰毅 ;
骆绪伟 .
中国专利 :CN117361872B ,2025-09-09
[4]
一种高纯二氧化硅颗粒的制备方法 [P]. 
李婷 ;
李超 ;
刘俊龙 ;
程周耀 ;
黄丰毅 ;
骆绪伟 .
中国专利 :CN117361872A ,2024-01-09
[5]
一种制备高纯球形二氧化硅的方法及高纯球形二氧化硅 [P]. 
王瑞聪 ;
银波 ;
范协诚 ;
闵中龙 ;
仝少超 .
中国专利 :CN112194142A ,2021-01-08
[6]
高纯二氧化硅的制备装置 [P]. 
赵志波 ;
于秀暖 .
中国专利 :CN222076755U ,2024-11-29
[7]
高纯二氧化硅超微粉的生产方法 [P]. 
徐梦雷 .
中国专利 :CN1065212C ,1998-07-08
[8]
纳米高纯二氧化硅的生产方法 [P]. 
吕佳来 .
中国专利 :CN1634763A ,2005-07-06
[9]
一种高纯二氧化硅的生产方法 [P]. 
翟胤长 ;
张晓红 .
中国专利 :CN1579936A ,2005-02-16
[10]
一种高纯二氧化硅的制备方法 [P]. 
郝承志 ;
董素娟 .
中国专利 :CN104229807A ,2014-12-24