极紫外光刻光源掩模优化方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202011279713.8
申请日
2020-11-16
公开(公告)号
CN112394615B
公开(公告)日
2024-02-09
发明(设计)人
张子南 李思坤 王向朝 成维 胡少博 刘珍
申请人
中国科学院上海光学精密机械研究所
申请人地址
201800 上海市嘉定区清河路390号
IPC主分类号
G03F1/76
IPC分类号
G03F1/80 G03F7/20
代理机构
上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317
代理人
张宁展
法律状态
授权
国省代码
北京市
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共 50 条
[1]
极紫外光刻光源掩模优化方法 [P]. 
张子南 ;
李思坤 ;
王向朝 ;
成维 ;
胡少博 ;
刘珍 .
中国专利 :CN112394615A ,2021-02-23
[2]
一种极紫外光刻光源-掩模联合优化方法 [P]. 
马旭 ;
陈譞博 ;
汪杰 ;
李艳秋 .
中国专利 :CN104914684A ,2015-09-16
[3]
一种极紫外光刻掩模优化方法 [P]. 
马旭 ;
汪杰 ;
陈譞博 ;
李艳秋 .
中国专利 :CN104635434A ,2015-05-20
[4]
极紫外光刻掩模 [P]. 
N·佩伦斯 ;
V·菲利普森 .
:CN119987118A ,2025-05-13
[5]
极紫外光刻掩模及其制造方法 [P]. 
郑文豪 .
中国专利 :CN113050360A ,2021-06-29
[6]
一种极紫外光刻掩模优化方法及系统 [P]. 
刘世元 ;
何玭炫 ;
刘佳敏 ;
谷洪刚 ;
江浩 .
中国专利 :CN117807955A ,2024-04-02
[7]
极紫外光刻掩模缺陷的补偿方法 [P]. 
宋晓伟 ;
张瀚之 ;
林景全 ;
李博超 .
中国专利 :CN118050953A ,2024-05-17
[8]
用于极紫外光刻的相移掩模 [P]. 
金成洙 ;
金东完 ;
徐焕锡 .
韩国专利 :CN113534598B ,2025-03-25
[9]
极紫外光刻掩模缺陷检测系统 [P]. 
李海亮 ;
谢常青 ;
刘明 ;
李冬梅 ;
牛洁斌 ;
史丽娜 ;
朱效立 .
中国专利 :CN103365073B ,2013-10-23
[10]
用于极紫外光刻的相移掩模 [P]. 
金成洙 ;
金东完 ;
徐焕锡 .
中国专利 :CN113534598A ,2021-10-22