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极紫外光刻光源掩模优化方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202011279713.8
申请日
:
2020-11-16
公开(公告)号
:
CN112394615B
公开(公告)日
:
2024-02-09
发明(设计)人
:
张子南
李思坤
王向朝
成维
胡少博
刘珍
申请人
:
中国科学院上海光学精密机械研究所
申请人地址
:
201800 上海市嘉定区清河路390号
IPC主分类号
:
G03F1/76
IPC分类号
:
G03F1/80
G03F7/20
代理机构
:
上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317
代理人
:
张宁展
法律状态
:
授权
国省代码
:
北京市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-02-09
授权
授权
共 50 条
[1]
极紫外光刻光源掩模优化方法
[P].
张子南
论文数:
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张子南
;
李思坤
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李思坤
;
王向朝
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王向朝
;
成维
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成维
;
胡少博
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胡少博
;
刘珍
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刘珍
.
中国专利
:CN112394615A
,2021-02-23
[2]
一种极紫外光刻光源-掩模联合优化方法
[P].
马旭
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马旭
;
陈譞博
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陈譞博
;
汪杰
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汪杰
;
李艳秋
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李艳秋
.
中国专利
:CN104914684A
,2015-09-16
[3]
一种极紫外光刻掩模优化方法
[P].
马旭
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马旭
;
汪杰
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汪杰
;
陈譞博
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陈譞博
;
李艳秋
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0
李艳秋
.
中国专利
:CN104635434A
,2015-05-20
[4]
极紫外光刻掩模
[P].
N·佩伦斯
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机构:
IMEC非营利协会
IMEC非营利协会
N·佩伦斯
;
V·菲利普森
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机构:
IMEC非营利协会
IMEC非营利协会
V·菲利普森
.
:CN119987118A
,2025-05-13
[5]
极紫外光刻掩模及其制造方法
[P].
郑文豪
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郑文豪
.
中国专利
:CN113050360A
,2021-06-29
[6]
一种极紫外光刻掩模优化方法及系统
[P].
刘世元
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机构:
华中科技大学
华中科技大学
刘世元
;
何玭炫
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机构:
华中科技大学
华中科技大学
何玭炫
;
刘佳敏
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机构:
华中科技大学
华中科技大学
刘佳敏
;
谷洪刚
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机构:
华中科技大学
华中科技大学
谷洪刚
;
江浩
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机构:
华中科技大学
华中科技大学
江浩
.
中国专利
:CN117807955A
,2024-04-02
[7]
极紫外光刻掩模缺陷的补偿方法
[P].
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机构:
宋晓伟
;
张瀚之
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机构:
长春理工大学
长春理工大学
张瀚之
;
论文数:
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机构:
林景全
;
论文数:
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机构:
李博超
.
中国专利
:CN118050953A
,2024-05-17
[8]
用于极紫外光刻的相移掩模
[P].
金成洙
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金成洙
;
金东完
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金东完
;
徐焕锡
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
徐焕锡
.
韩国专利
:CN113534598B
,2025-03-25
[9]
极紫外光刻掩模缺陷检测系统
[P].
李海亮
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李海亮
;
谢常青
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谢常青
;
刘明
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刘明
;
李冬梅
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李冬梅
;
牛洁斌
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牛洁斌
;
史丽娜
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史丽娜
;
朱效立
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朱效立
.
中国专利
:CN103365073B
,2013-10-23
[10]
用于极紫外光刻的相移掩模
[P].
金成洙
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金成洙
;
金东完
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金东完
;
徐焕锡
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徐焕锡
.
中国专利
:CN113534598A
,2021-10-22
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